1) photodetector
[,fəutəudi'tektə]
光电检测器
1.
A new photodetector, the bipolar junction photogate transistor, was proposed for CMOS image sensor.
提出一种应用于CMOS图像传感器的新型光电检测器件-双极型光栅晶体管,并建立了其瞬态等效电路模型,利用电路模拟软件HSPICE的多瞬态分析法对双极型光栅晶体管的光电流特性进行了仿真,分析得出这种新型器件在0。
2.
A new photodetector--bipolar junction photogate transistor is presented for CMOS image sensor and its analytical model is also established.
提出一种用于CMOS图像传感器的新型光电检测器———双极结型光栅晶体管 ,并建立了其解析模型 。
3.
BZ]In this paper, a new photodetector, the bipolar junction photogate transistor, has been presented.
本文提出一种新的用于 CMOS图像传感器像素的光电检测器——双极结型光栅晶体管。
2) photoelectric detector
光电检测器
1.
This paper analyzed and made the cir- cuit of photoelectric detector and pre-amplifier, which are the major components of the photoelectric receiver.
对光电接收器的主要组成部分光电检测器、前置放大器进行电路分析和制作,经实验结果表明研制光电接收器的接收信号动态范围大、稳定性好、抗干扰性能强,其效果满足用户要求。
3) electro-optical detector
电光检测器
4) photoconductive detector,photoconductive photodetector
光电导检测器<光>
5) photoelectromagnetic photo-detector
光电磁光检测器
6) fibre optic photodetector
光纤光电检测器
补充资料：光电红外检测器
分子式：
CAS号：
性质：又称硫化铅光电池(pbs photocell)，适用于1～6μm之间的近红外和中红外光谱区。当红外光入射到硫化铅(或硒化铅、碲化铅)表面时，其导电率增大。由0.1μm厚的铅化合物膜，覆盖在玻璃上形成半导体系统，由于吸收红外辐射而变成导电系统。检测器的电阻随入射光强度的增大而减小。
CAS号：
性质：又称硫化铅光电池(pbs photocell)，适用于1～6μm之间的近红外和中红外光谱区。当红外光入射到硫化铅(或硒化铅、碲化铅)表面时，其导电率增大。由0.1μm厚的铅化合物膜，覆盖在玻璃上形成半导体系统，由于吸收红外辐射而变成导电系统。检测器的电阻随入射光强度的增大而减小。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条