20世纪90年代初发现a-si中加入一些金属如al，cu，au，ag，ni等沉积在a-si∶h上或离子注入到a-si∶h薄膜的内部，能够降低a-si向p-si转变的相变能量，之后对ni/a-si:h进行退火处理以使a-si薄膜晶化，晶化温度可低于500℃。但由于存在金属污染未能在tft中应用。随后发现ni横向诱导晶化可以避免孪晶产生，镍硅化合物的晶格常数与单晶硅相近、低互溶性和适当的相变能量，使用镍金属诱导a-si薄膜的方法得到了横向结晶的多晶硅薄膜。横向结晶的多晶硅薄膜的表面平滑，具有长晶粒和连续晶界的特征，晶界势垒高度低于spc多晶硅的晶界势垒高度，因此，milc tft具有优良的性能而且不必要进行氢化处理。利用金属如镍等在非晶硅薄膜表面形成诱导层，金属ni与a-si在界面处形成nisi2的硅化物，利用硅化物释放的潜热及界面处因晶格失错而提供的晶格位置，a-si原子在界面处重结晶，形成多晶硅晶粒，nisi2层破坏，ni原子逐渐向a-si层的底层迁移，再形成nisi2硅化物，如此反复直a-si层基本上全部晶化，其诱导温度一般在500℃，持续时间在1o小时左右，退火时间与薄膜厚度有关。

金属诱导非晶硅晶化法制备多晶硅薄膜具有均匀性高、成本低、相连金属掩蔽区以外的非晶硅也可以被晶化、生长温度在500℃。但是milc目前它的晶化速率仍然不高，并且随着热处理时间的增长速率会降低。我们采用milc和光脉冲辐射相结合的方法，实现了a-si薄膜在低温环境下快速横向晶化。得到高迁移率、低金属污染的多晶硅带。