1) Band bending
能带弯曲
2) band bending region
能带弯曲区
1.
Surface electron escape probability and attenuation length are respectively revised considering the effects of incident photon energy,surface band bending region and surface barrier on photoemission.
在对NEA光电阴极体内及表面光电发射过程的分析基础上,考虑入射光子能量、表面能带弯曲区以及表面势垒对电子发射的影响,对表面逸出概率和电子衰减长度进行了修正,并利用积分法推导了NEA光电阴极的量子效率公式,其理论预测曲线与实验曲线基本一致,从而验证了修正公式的实用性。
3) Bandgap bowing parameter
能带弯曲参数
4) band edge curvature
能带边缘弯曲
5) band-gap bowing
带隙弯曲
6) hose bending
水带弯曲
补充资料：能带弯曲（bandbending）
能带弯曲（bandbending）
半导体能带图表示电子在原子周期势场中处于不同能量的能级上，电子能量与其所在的半导体的静电势成正比。显然，如果半导体中静电势到处都相同，则能带是水平的，即平带状态。反之，当半导体表面存在垂直的外加电场时，半导体中各处静电势就不同，则能带就相应地发生弯曲，称为能带弯曲。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条