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1)  triethylindium
三乙基铟
1.
Determination of Elements in Triethylindium by Inductively Coupled Plasma Atomic Spectrometry;
三乙基铟中杂质元素的ICP─AES测定
2.
Tetraethyl bis(10 hydroxybenzo(h)quinolinato) diindium has been obtained by the reaction of benzo〔h〕quinolin 10 ol with triethylindium in benzene.
通过10-羟基-苯并(h)喹啉与三乙基铟在苯中反应,合成了二〔10-羟基苯并(h)喹啉〕·四乙基合二铟(Ⅲ)。
3.
The present with trimethylgallium(TMG), triethylindium(TEI) and AsH3(100%), PH3 (100) as group Ⅲ and group Ⅴ sources respectively the In1-xGaxAs/InP multiquantum trap structure matetsals, were grown by organometallic vapor epitaxy (MOVPE) technique at a low temperature and low pressure.
本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100%砷烷(AsH_3)、100%磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料。
2)  triethenylindium
三乙烯基铟
3)  high-purity triethylindium
高纯三乙基铟
4)  TMIn
三甲基铟
5)  tri-1H-inden-1-ylindium
三茚基铟
6)  triphenylindium
三苯基铟
补充资料:三乙基铟
分子式:(C2H5)3In
CAS号:

性质:无色液体。熔点-32℃。沸点144℃,51~54℃(3999.96Pa)。在空气中自燃。溶于有机溶剂。在苯溶液中呈单体。与冷水作用生成氢氧化二乙基铟和乙烷,与90℃热水作用则完全分解。与乙醇加热至70℃则产生二乙基乙氧化铟和乙烷。由三氯化锂与溴化乙基镁作用而得。是制备有机铟化合物的中间体。

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参考词条