1)  electron diffraction analyse
电子衍射分析
2)  selected area electron diffraction analysis
选区电子衍射分析
3)  electronic
电子
1.
Development of an electronic optometer based on SCM;
单片机电子视力计的研制
2.
Clinical analysis on liposuction adopting electronic liposuction machine;
医用电子去脂机行抽脂术临床效果分析
3.
Research on the development of automobile electronic information industry ——based on the theory of industry growth;
基于产业成长理论的中国汽车电子信息产业发展研究
4)  electron
电子
1.
Mixed proton-electron conductors for hydrogen permeation;
质子-电子混合导体透氢膜
2.
Study of ion catch technology of electron microscopy in virus detection of patient s excrement;
离子扑捉电子显微镜技术检测患者粪便中病毒的方法
3.
Teaching research on electric and electron speciality oriented art recruiting students;
面向文科招生的电气、电子专业教学研究
5)  electrons
电子
1.
A comparison of ionizing radiation damage in CMOS devices from ~(60)Co Gamma rays,electrons and protons;
CMOS器件~(60)Coγ射线、电子和质子电离辐射损伤比较
2.
In order to study avalanche ionization mechanism, it is inevitable to deal with rates of electrons absorbing and losing energy.
研究雪崩破坏机理,必然涉及到电子吸收激光能量的速率和电子损耗能量的速率,这些都与电子和声子的散射有密切的联系。
3.
N-channel MOS transistors from CC4007,CC4011 and LC54HC04RH device were irradiated with different dose rate Co-60 gamma rays,lower energy protons(less then 9MeV)and 1MeV electrons.
利用不同剂量率γ射线、低能 (小于 9MeV)质子和 1MeV电子对CC40 0 7RH、CC40 11、LC5 4HC0 4RHNMOS FET进行了辐照实验 ,结果表明 ,在 +5V偏置条件下 ,9MeV以下质子造成的损伤总是小于60 Co,而且质子能量越低 ,损伤越小 ;对于同等的吸收剂量 ,1MeV电子和60 Co造成的损伤差别不大 ;在高剂量率γ射线辐射下 ,氧化物陷阱电荷是导致器件失效的主要原因 ,在接近空间低剂量率辐射环境下 ,LC5 4HC0 4RH电路失效的主要原因是辐射感生界面态陷阱电荷 ,而CC40 0 7RH器件则是氧化物陷阱电荷 。
6)  electronics
电子
1.
Through introducing the TCA substitute technical and solvent in mental,electronics and precision cleaning industry,summing up some of the characteristics of alternative solvents,this article introduces some examples of alternative technologies on the process characteristics and its application,while for domestic enterprises to implement TCA offers eliminated the choice of alternative principles.
通过介绍金属清洗、电子清洗和精密清洗领域的α-三氯乙烷(TCA)替代溶剂及其相关替代的技术,总结了部分替代溶剂的特点,并以实例介绍了部分替代技术的工艺特点及其应用,同时为国内相关企业实施TCA淘汰提供了TCA替代品的选择原则。
2.
This article summarizes the development trend and direction of the traffic electronics.
概括介绍了交通电子的发展动向及未来趋势。
3.
At the base of studying cultivating model of the same talents in other countries,we raised the construction and imagination of the practice teaching system of electronics of our higher vocational school.
为了实现从制造业大国向制造业强国的转变,中国急需大量的高级技能型人才,通过对国外同类人才的培养模式的研究,初步提出了我国高等职业学校电子专业实践教学体系的构建与设想。
参考词条
补充资料：电子衍射分析


电子衍射分析
electron diffraction analysis

　　阵。X射线或电子束在晶体产生衍射往往用点阵平面反射这些射线束干涉增强来描述，一组点阵平面干涉加强对应一个衍射斑。点阵平面的三维周期性也反映在衍射斑构成的点阵中，称为倒易点阵。倒易点阵矢垂直于同名指数的晶体点阵平面，长度等于正空间点阵平面间距的倒数。电子衍射图与晶体衍射过程的几何关系见图。当波长为几的电子波以夕角掠射过晶体的(hkl)点┌─────┐│户\。_， ││只\、_洲产││户.碳岁.，│└─────┘ 电子衍射的几何构图说明阵平面时，可以把电子波想象为一个扩展在半径为1/几的球面上的反射球，口角符合布喇格衍射方程产生衍射的条件与倒易矢乱kI的端点落在半径为反射球面上的条件是等同的。即Zdsin口=几与K一K0=夙‘等价。这从几何关系冬}、}=}K}sin。很容易看出。即倒M“夕“’，/、月、2’0”三几’。111以‘卜叮叨目叫。”r曰易点hkl与反射球相截是晶体点阵平面产生衍射的充分而必要的条件。牛约为八劣的100倍，所以反射球面“hk王实际上非常接近平面，在电子衍射实验的角度范围内(约几度)，可以说反射球贴着倒易点阵平面。因此从图可看出，电子衍射图是倒易点阵平面的放大象。用L几=Rd表示，式中L称相机长度，是样品到纪录电子衍射图底片的有效距离，可从实验测定;义是电子波长，取决于加速电压;R是衍射图中hkl斑点到透射斑的距离;d是产生衍射的晶体点阵平面hkl的面间距。如果倾转晶体纪录下不同的倒易平面，就可以构造被测晶体的三维倒易点阵，进而晶体点阵的平移对称性、点阵单胞尺寸都可以通过电子衍射图对倒易点阵的测定而确定。 选区衍射在电子显微镜的电子衍射实验中，用物镜象平面上的视场光阑限定感兴趣的区域进行衍射分析，相当于在样品上选择分析区域。通常可获得1月m左右的选区衍射。但由于物镜球差的存在，当象平面上的视场光阑过于细小时，限场以外的晶体产生的衍射束仍可能进入最终纪录的衍射图，产生了衍射与选区不对应问题。由球差引起的衍射束位移与a=20的兰次方有关(a为衍射束与透射束的夹角)，即沙=Cs护，Cs是物镜的球差系数。如Cs=3 .3 mm，AI的444衍射束位移即达0.8召m。这时选区小于1月mZ的对应性就不好。已知Cs与波长几成反比，a与几成正比，所以占与几的平方成正比。所以提高电子波的加速电压，可减少选区的不对应程度，或可使用更小的选区光阑。选区电子衍射图基本上可分为环状与点状两类，分别对应多晶与单晶的衍射图。它们的标定与X射线衍射中的德拜相和劳厄相分析方法类似。
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