1) Rubidium titanyl arsenate single crystal
砷酸钛氧铷单晶
2) RbTiOAsO 4 crystal
砷酸钛氧铷晶体
4) Cs +:RbTiOPO 4
掺铯磷酸氧钛铷
5) kalium titanyl arsenate
砷酸钛氧钾
1.
Experimental study of a kalium titanyl arsenate optical parametric oscillator in the mid-infrared band;
中红外砷酸钛氧钾光参变振荡器的实验研究
6) BaTiO 3 single crystals
钛酸钡单晶
补充资料：砷锑化铟单晶
分子式： InSb1-xAsx o≤x≤1
CAS号：
性质：周期表第III族元素化合物半导体。共价键结合，有一定的离子键成分，闪锌矿型结构。为直接带隙半导体，禁带宽度在0.18～0.35eV范围，电子迁移率0.59m2(V·s)。用于作红外激光器件。采用区域熔炼、化学气相沉积，外延生长等方法制备。
CAS号：
性质：周期表第III族元素化合物半导体。共价键结合，有一定的离子键成分，闪锌矿型结构。为直接带隙半导体，禁带宽度在0.18～0.35eV范围，电子迁移率0.59m2(V·s)。用于作红外激光器件。采用区域熔炼、化学气相沉积，外延生长等方法制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条