1) nonlinear ceramic capacitor
非线性陶瓷电容器
2) ceramic capacitor
陶瓷电容器
1.
Densification process of Ni electrodes in ceramic capacitors;
陶瓷电容器镍电极的致密化过程
2.
Design of a novel capacitor: multifiber ceramic capacitor;
新型多纤维陶瓷电容器的设计
3.
An experimental investigation was undertaken to study the glass composition and content effects on the adhesion,square resistance and weldability of Ni electrodes in ceramic capacitors.
研究了玻璃粘结剂组成和含量对陶瓷电容器镍电极附着力、方阻和可焊性的影响,并使用SEM和EDS分析了其中的影响机制。
3) capacitor ceramics
电容器陶瓷
1.
8) on the dielectric properties of(Ba,Sr)TiO_3(Barium Strontium Titanate,BST) ferroelectric capacitor ceramics were investigated.
8]不同对(Ba,Sr)TiO3(Barium strontiumtitanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Nb2O5/Co2O3加入量与BST陶瓷性能的关系。
2.
3TiO(3BST)capacitor ceramics were studied, and mechanism for modifying the properties and microstructure of the BST ceramics by doping of MgO was investigated.
3TiO3基电容器陶瓷。
3.
The influence of doping amount of Bi4Ti3O12 (more than 8%, mass fraction) on the properties of (Ba,Sr)TiO3(barium strontium titanate,BST) series ferroelectric capacitor ceramics were investigated, and the relationship between the additive amount of Bi4Ti3O12 and the properties of BST were obtained.
研究了Bi4Ti3O12掺杂量(≥8％,质量分数)对(Ba,Sr)TiO3(Barium Strontium Titanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Bi4Ti3O12掺杂量与BST陶瓷性能的关系,得到中温烧结(≤1150℃)、高压(≥6。
4) ceramic capacitors
陶瓷电容器
1.
The research situation and development of medium/high voltage ceramic capacitors were reviewed in this paper.
阐述了中高压陶瓷电容器研究状况及发展。
2.
The properties of phenolic resin coating materials for coating ceramic capacitors made by Namics (Namics Corporation, Japan) and by Sansen (Sansen electrification Co.
对比分析研究了日本纳美仕公司(Namics corporation, Japan)产的陶瓷电容器酚醛树脂包封料与中国江苏镇江三森电气有限公司(简称中国三森公司)产的陶瓷电容器酚醛树脂包封料的性能,利用SEM和XRD研究了这两种包封料的无机填料的形貌及其颗粒大小和物相组成,找到了日本纳美仕公司产的酚醛树脂包封料和中国三森公司产的酚醛树脂包封料性能不同的根本所在。
3.
The influence of the composition of the epoxy-phenolic resin for coating ceramic capacitors on its properties has been investigated by means of single factor various method, and the law governing the influence has been obtained.
采用单因素变量法研究了组成对陶瓷电容器用环氧-酚醛树脂包封料性能的影响,得到了综合性能好的包封料,这种包封料干燥时间为8 h(低于20℃条件下),耐溶剂性时间为70 h(丙酮中36~38℃)。
5) nonlinear ceramics
非线性陶瓷
6) ceramic capacitive oil pressure transducer
陶瓷电容性油压传感器
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条