1) aluminum nitrid-silicon carbide system
AlN-Sic系统
2) AlN/SiC multiphase ceramics
AlN结合SiC
1.
Using the kyanite as raw material,AlN/SiC multiphase ceramics was synthesized with the carbothermal reduction nitridation (CRN) method.
以天然矿物蓝晶石为原料,通过碳热还原氮化法(CRN)原位合成AlN结合SiC复相材料。
3) SiC-AlN composites
AlN/SiC复合材料
4) AlN-SiC composites
AlN-SiC复合材料
1.
AlN-SiC composites with AlN and α-SiC or β-SiC as the starting materials was prepared by hotpressing at 1 900～1 950℃ in a nitrogen atmosphere.
以氮化铝、不同晶体类型的碳化硅为原料,采用热压烧结工艺,在1900~1950℃,氮气气氛下制备AlN-SiC复合材料。
5) Al-SiC system
A-SiC系
6) AIN/SiC CMC
AlN/Sic陶瓷复合材料
补充资料：aluminium nitride material AlN
分子式：
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条