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1)  nuclear tunneling effects
核隧道效应
2)  nuclear potential barrier channel effect
核势垒隧道效应
1.
In nuclear physics he proposed the well known “nuclear potential barrier channel effect” and the Gamow-Teller transition probability of beta decay.
在核物理学领域 ,他提出了著名的“核势垒隧道效应”和 β衰变的伽莫夫 -泰勒选择定则 。
3)  tunneling effect
隧道效应
1.
Conductivity model of carbon fiber reinforced cement composite based on tunneling effect;
基于隧道效应的CFRC材料的导电模型
2.
Anomalous hopping and tunneling effects on the conductivity of a wedge-shaped Au film system;
楔形金薄膜系统中的反常跳跃电导和隧道效应
3.
The transport properties of carbon fiber reinforced cement-based composites (CFRC) subjected to an external electric field were studied according to the conductivity model of CFRC based on the tunneling effect.
以隧道效应理论为基础,建立了碳纤维增强水泥基复合材料(carbon fiber reinforced cement-based composites,CFRC)导电模型。
4)  tunnelling effect
隧道效应
1.
With discussion on tunnelling effect of ZnO varistors, a new model is proposed, which can depict barriers stagger near the grains of ZnO varistors.
根据氧化锌压敏电阻的微观结构,提出了势垒交错导致共振隧穿的模型,并运用传递矩阵法合理地解释了ZnO压敏电阻的隧道效应,所得的隧穿电流符合实际 ZnO压敏电阻在击穿区的温度特性。
5)  tunnel effect
隧道效应
1.
Quantum tunnel effect in the semiconductor;
半导体器件中的量子隧道效应
2.
Unfair Related Transactions, Information Disclosure and Ultimate Shareholder’s Tunnel Effect
非公平关联交易、信息披露与终极股东隧道效应
6)  tunneling [英]['tʌnəlɪŋ]  [美]['tʌnəlɪŋ]
隧道效应
1.
Study on Tunneling Effect in Chemical Kinetics Ⅳ─On Thermal Unimolelar Reaction of Silathione;
化学动力学中隧道效应的研究Ⅳ──甲硅硫醛单分子热反应
2.
Study on Tunneling in Thermal Unimolelar Reaction of Silathione;
甲硅硫醛单分子热反应中隧道效应的研究
3.
Balance Mechanism of Blockholder and Tunneling of Cash Dividend: Evidences from Chinese Listed companies from 1999 to 2003;
大股东制衡机制与现金股利的隧道效应——来自1999—2003年中国上市公司的证据
补充资料:半导体中的隧道效应
      隧道效应──微观粒子能透入按经典力学规律它不可能进入的势垒区,是反映微观粒子的波动性的一种基本效应。可以把半导体(或绝缘体)中的电子迁移现象理解为在外电场下,束缚在一个原子中的电子,通过隧道穿透势垒,到另一个原子中。不过,通常说的半导体中的隧道效应指的不是这种对原子势场的量子隧道效应。而是指电子对半导体中宏观势垒的穿透,这个宏观势垒是半导体的禁带造成的。
  
  C.曾讷在1934年最先提出,在外电场下,固体的能带在空间上变成图1所示的倾斜情况,价带的电子可以穿过禁带进入导带。在禁带中电子波函数指数衰减(波矢是复数的),就和穿过势垒时相似;曾讷认为这是强场下半导体(或绝缘体)电击穿的一种原因。但实验表明,通常半导体电击穿过程中,这种原因(称曾讷击穿)只起很次要的作用。只有在某些特殊类型的PN结的反向击穿中,才有以曾讷击穿为主的情况。这种类型的PN结称曾讷二极管,或按其用途叫稳压二极管。通常是硅二极管。
  
  1957年江崎玲於奈发明了隧道二极管。它是高掺杂半导体形成的窄的PN结;当它加上前向偏压时,N区电子可以通过隧道效应,穿过禁带进入 P区中价带的空状态。随所加的偏压增大,开始时隧道电流变大(可以进入的空状态增多);随后到达极大值然后逐渐下降(可以进入的空状态减少),最后下降到零(可以进入的空状态没有了)。图2是隧道二极管的伏安特性曲线,以及对应各部分的PN结能带图。隧道二极管正向伏安特性中有一段负阻区,而且它还是一种多数载流子效应,没有渡越时间的限制,所以隧道二极管可用作低噪声的放大器、振荡器或高速开关器件,频率可达毫米波段。它作为器件的缺点是功率容量太小。
  
  隧道过程中,常常有电子-声子相互作用或电子-杂质相互作用参加。从隧道二极管的伏安特性上可分析出参与隧道过程的某些声子的频率。在势垒区中的光吸收或发射中,隧道效应也起着作用,这称夫兰克-凯尔德什效应。杂质的束缚电子态和能带中电子态之间的隧道也观察到。
  
  江崎玲於奈的发明开创了研究固体中隧道效应的新阶段。因此,他和发现超导体中隧道现象的I.加埃沃、B.D.约瑟夫森一起获得了1973年诺贝尔物理学奖。
  
  金属半导体接触势垒(肖脱基势垒)中的隧道现象也很有趣。1932年,A.H.威耳孙、Α.Ф.约飞和Я.И.夫伦克耳企图用隧道电流来解释肖脱基势垒的整流效应,但发现所预言的整流方向是错误的。不过,近年来却发现有些高掺杂的肖脱基势垒在小的前向偏压下,隧道电流是主要的电流机制。金属-绝缘体-半导体系统中隧道效应的研究也是有意义的。
  

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参考词条