1) TiO_2 thin film electrode
TiO_2薄膜电极
1.
TiO_2 thin film electrodes of flexible dye sensitized solar cell were successfully prepared by UV treatment after low-temperature sintering.
采用HNO_3水溶液分散P25制得了TiO_2/NO_3~-粉末,并将TiO_2/NO_3~-粉末和聚乙二醇(PEG)水溶液混合配制成室温涂膜浆体,紫外处理低温烧结涂敷的TiO_2薄膜,以获得柔性染料敏化太阳电池的TiO_2薄膜电极。
4) TiO_2/SiO_2 composite film electrode
TiO_2/SiO_2薄膜电极
1.
In this paper, methylorange (MO) was chosen as one of the representatives of the organic pollutions, and theTiO_2/SiO_2 composite film electrode was prepared through the cathodic electrodepositionmethod.
本论文以甲基橙(MO)为模型污染物，通过电沉积法制备了TiO_2/SiO_2薄膜电极，研究了此薄膜电极光催化和光电催化降解MO的能力，并且将原电池技术引入到光催化中形成电耦合光催化体系，进一步研究了耦合技术的反应机理及影响电耦合光催化的一系列因素。
6) TiO_2 nanocrystalline electrodes
TiO_2纳晶多孔薄膜电极
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条