1) nonlinear parameter
非线性参数
1.
QoS route with nonlinear parameters can be divided two kinds.
具有非线性参数的QoS路由分为含有非线性约束条件的QoS路由和含有非线性优化目标的QoS路由两类,它们都是NP问题。
2.
New progress and application of nonlinear acoustics in recent years were reviewed,and four aspects were emphasized:(1) nonlinear parameter B/A determination: besides conventional methods,the new methods for the determination were introduced in belief,also the measurements of the solid nonlinear coefficient.
文章介绍了非线性声学的发展过程及其近年来在有关领域中新的进展和应用,着重从以下四方面对非线性参数的测量和非线性声学的应用作了详述:(1)非线性参数B/A的特征及其测量方法。
3.
Firstly, the robust adaptive control problem for a class of nonholonomic systems with nonlinear parameter is discussed.
我们首先讨论了一类带有非线性参数的非完整系统自适应控制问题。
2) nonlinear parameters
非线性参数
1.
Methods Infomax algorithm of independent component analysis and threshold set of nonlinear parameters were combined.
方法将独立分量分析(ICA)最大熵算法和非线性参数阈值设定相结合。
2.
Based on the three calculated nonlinear parameters of the waves,i.
提取脑电信号(EEG)的α波并计算其三种非线性参数,在此基础上归纳出用于评估人体疲劳状态的综合判据。
3.
Nonlinear damping terms are used to counteract the nonlinear parameters and uncertain nonlinearities.
针对一类含有3类非线性(未知非线性参数,不确定非线性,未建模动态)的非线性系统,采用修正的后推方法设计出一种鲁棒自适应控制器。
3) non-linear parameters
非线性参数
1.
Five groups of non-linear parameters were extracted from EHRV.
目的提出了一种基于非线性参数的心血管亚健康状况评测方法,通过对心血管系统功能的定量评测,对人体亚健康状态进行有效评估,以便及早进行预防和防治。
4) nonlinear parametric function
非线性参数函数
5) parametrically vibration
非线性参数振动
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条