1) MgF_2 crystal
MgF2晶体
1.
THz(terahertz)properties of MgF_2 crystal(sample 1)and MgF_2:Co crystal(sample 2)is measured using transmission THz time domain spectroscopy in the frequency range between 0.
利用THz时域光谱技术对MgF2晶体(样品1)和MgF2:Co晶体(样品2)在0。
2) MgF_2
MgF2
1.
The single-layer films of Al_2O_3 and MgF_2 were deposited upon super polished fused-silica by electron-beam evaporation and were characterized.
用电子束热蒸发方法在熔融石英基底上沉积了Al2O3和MgF2两种材料的单层膜,研究了两种材料的光学特性,采用光度法计算并给出了薄膜材料在180～230nm的折射率n和消光系数k的色散曲线。
2.
Surface-modified (Y,Gd)BO_3Eu powders with MgF_2 were prepared by the emulsion method.
利用乳胶法对荧光粉颗粒表面包覆MgF2。
3) MgF 2
MgF2
1.
The reaction between MgF 2 and tris (8 hydroxy quinoline)aluminum (Alq 3)has been studied using high resolution electron energy loss spectroscopy (HREELS).
介绍了用高分辨电子能量损失谱 (HREELS)研究MgF2 与Alq3(八羟基喹啉 )的反应 。
4) ZnS/MgF_2
ZnS/MgF2
1.
ZnS/MgF_2 narrow band interference filters were deposited by ion-assisted-deposition (IAD) with an end-hall ion source.
采用霍尔源离子辅助沉积(IAD)技术制备了ZnS/MgF2多层膜窄带干涉滤光片,并与常规沉积条件下制备的样品作比较。
5) ZnO/MgF_2
ZnO/MgF2
1.
Photonic band gap(PBG)of one-dimensional ZnO/MgF_2 photonic crystal is studied with the optical transmission matrix method.
利用光学传输矩阵理论对一维ZnO/MgF2光子晶体的光子带隙进行了研究。
6) MgF2 films
MgF2膜
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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