1) Crystallographic sites
晶体学格位
1.
Luminescence characteristics and crystallographic sites of Ce~(3+) in LiBaBO_3
Ce~(3+)在LiBaBO_3中的发光特性及晶体学格位
2.
On the basis of analysing the excitation and emission spectra, the crystallographic sites of Ce3+ in Ca,Mg(SiO.
分析了Ｃｅ（３＋）在Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中应占据的晶体学格位。
2) lattice site
结晶学格位
1.
The lattice sites and cation displacements are also investigated.
对于这两个晶体的结晶学格位占有情况和阳离子的位移进行了理论上的分析。
3) site
[英][saɪt] [美][saɪt]
晶格格位
4) crystal orientation relationship
晶体学位向关系
1.
The micro-appearance feature, the formation of twin lines of monoclinic, the phase transformation and the crystal orientation relationship of ZrO_2 laminated ceramics were studied by scanning electron micro scope(SEM),transmission electron microscope(TEM), X-rays instruments, etc.
利用扫描和透射电子显微镜及X rays衍射仪等,对ZrO2层状复合陶瓷的显微形貌特征、断裂相变量及晶体学位向关系进行了深入研究。
5) crystallographic orientation relationship
晶体学位相关系
6) lattice-substitution
晶格占位
1.
The lattice-substitution of alloying elements V,Nb and Mo in the ZrCr_2 Laves phase was analyzed by Rietveld simulation and X-ray diffractiometry.
应用Rietveld模拟计算和实验X射线衍射分析合金元素V、Nb和Mo在ZrCr2Laves相金属间化合物中的晶格占位,研究合金化对ZrCr2Laves相力学性能的影响。
补充资料：晶体生长中的位错传播
晶体生长中的位错传播
propagation of dislocations during crystal growth
晶体生长中的位错传播propagation of disloca-tions during crystal gTowth位错在晶体生长过程中的延伸。只要位错在生长界面露头，它就能随着生长界面的推移而延伸。 晶体生长中位错的产生晶体生长过程中产生的位错，有两种来源:①起源于籽晶(晶种)。籽晶中存在位错，生长时延伸到生长的晶体中。②在晶体生长过程中，由于多种原因引起弹性力或渗透力，促使位错成核或增殖。 弹性应力(包括热弹应力)的产生有多种原因，如:在非均匀温场生长系统中(如熔体生长)生长的晶体内存在有温度梯度(径向和轴向的);籽晶表面有损伤或引晶温度偏低，引起局部生长的晶体与籽晶的晶格失配;晶体与柑涡间的热膨胀差异，使晶体受到柑涡约束;晶体中组分不均匀引起的晶格畸变等。此外，长成晶体在冷却过程中，冷却速率愈大，在晶体中引起的热弹应力也愈大，甚至会导致晶体开裂。因此，晶体生长过程中，弹性应力是普遍存在的。在这些弹性应力作用下，通过应力集中非均匀成核产生位错，或通过位错增殖机制如夫兰克一里德源和交滑移等机制，使位错增殖。 晶体中各种类型的点缺陷(见晶体缺陷)，其平衡浓度主要决定于温度。温度下降，点缺陷的平衡浓度则按指数下降。如果晶体中没有足够的点缺陷尾间(sink)或是降温速度太快，或是点缺陷扩散激活能较大，不能及时扩散到尾间或晶体表面，它们就会在晶体内形成过饱和点缺陷。 过饱和点缺陷为异类溶质原子时，它们将趋于凝聚成为新相(脱溶沉淀);过饱和点缺陷若为自填隙原子或空位，它们或是趋于凝聚并崩塌形成位错环的核心，或是使晶体中的位错攀移。在过饱和固溶体中，引起脱溶沉淀、位错环成核以及促使位错攀移的驱动力称为渗透力。在渗透力作用下，通过均匀或非均匀成核形成位错。在渗透力场中有巴丁一赫林源和形成蜷线位错的增殖机制，使位错增殖。 晶体生长中位错的传播晶体生长过程中，位错的传播方向，由克拉拍定理决定。 克拉角定理定理表述如下:在生长界面上露头的伯格斯矢量为b的位错，由于伯格斯矢量守恒的要求，在新生长的晶体层形成过程中位错线必将延伸，其延伸方向(位错传播方向)是使在新生长晶体层中的位错线段的弹性能为极小;或者说位错向着使生长的晶体层的弹性能为极小的方向传播。 若位错的伯格斯矢量b的单位矢量为价，单位生长矢量为g，位错线沿传播方向的单位矢量为l，则在弹性系数为几各向异性弹性介质中，沿传播方向单位位错线极小的能量E为二(。。e。)一笙铃退}。1 21n斋(1)式中K为能量因子，r0和R为内、外截止半径。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条