1) electron gas
电子气
1.
On the relation between Fermi energy of low-dimensional electron gas and temperature;
低维电子气的费密能量与温度的关系
2.
The dependenee of chemical potential of the low─dimensional electron gas ontemperature is discussed．The resu Its show that the dependence is different from that of thethree-dimensional one.
本文较为详细地计算了低维电子气的化学势随温度的变化关系，结果表明低维电子气的化学势随温度的变化关系和三维电子气是不同的。
3.
In chapter 1, we first study the background of the electron gas model, then give the explanation of the random phase approximation, and at last we introduce the origin idea of our modified coulomb potential model.
比如电子气,电子液体中,每个电子产生和周围电子相互排斥的场,导致它们周围的电子密度下降,这种屏蔽空穴可以看成着正离子屏蔽空穴。
2) electronics and electricity
电气电子
1.
This paper reported mainly the application of the engineering plastics in the industrial fields of vehicles, flying devices, electronics and electricity, machines, chemical engineering and anticorrosion, building materials, etc.
综述1998年我国工程塑料在车辆、飞行器、电气电子、机械、化工、建材等方面的应用情况及应用研究进展。
3) electronics and electrics
电子电气
1.
electronics and electrics .
主要报道1996年我国工程塑料在汽车、航空航天、电子电气、机械制造、化工防腐等工业领域的应用情况。
5) Electronic gas
电子气体
1.
In this paper,we research the kinds,purity and application of the electronic gases,And we summarize different analytical method of usual impurities in electronic gas and special gas.
概述了电子气体的种类、纯度以及其应用状况,综述了电子气体中几种常见杂质不同的分析方法以及特殊气体的不同处理方法,指出了电子气体分析方法的重要意义及发展前景。
2.
There is a good bit of gap as compared with foreign countries in development capacity, massive production technologies, production scale and application technologies, due to late start and inadequate input in electronic gas industry.
由于我国电子气体行业起步晚,投入不够,导致在产品开发能力、大生产技术、生产规模、应用技术等方面均与国外有一定差距。
6) electronic gases
电子气体
1.
Review the history of the electronic gases in China.
对中国电子气体的历史进行了回顾,通过对某些具有代表性的电子气体的描述,可以清晰地看到我国电子气体同发达国家的差距。
2.
Detailed introduced the technology present of electronic gases in China.
详细地介绍了中国电子气体的技术现状。
补充资料：二维电子气
当半导体表面上加一个与表面垂直的电场，在表面附近形成电子势阱，其中就会积累起大量的电子。如果表面上的电场很强，这些电子形成一个薄层（厚度小于10-6 厘米）。这时电子沿垂直于表面方向的运动变得量子化，即它的能量只能取一系列的分立值；而平行于表面的运动仍是自由的，能量可以是任意值。这样一个薄的电子层称为二维电子气。例如金属-氧化物-半导体结构中的反型层和积累层，以及在两种不同半导体形成的异质结界面附近都会形成二维电子气。
二维电子气中，电子的总能量为垂直于表面运动的能量（分立值）与平行于表面运动的能量（可以连续变化）之和，这一系列能量状态形成许多个子能带。在很低的温度下，二维电子气呈现一系列特异的量子效应。如果垂直于表面加一个强磁场，每个子能带会变成一系列朗道能级，成为能量完全分立的系统。半导体表面附近有时也会积累起大量的空穴，这时会形成类似的二维空穴气。
1957年，J.R.施里弗从理论上预示了反型层电子的二维运动特性，1966年，A.B.福勒尔等人从实验上证实了这一论述。此后物理学家们进行了大量的理论和实验研究工作。1980年,K.克利钦发现二维电子气的霍尔电阻特性具有量子化的"平台"，其数值精确地等于基本常数h/e2的N分之一（h为普朗克常数,e为电子电荷，N为正整数）。h/e2具有电阻的量纲（约25812.8欧）,因此量子霍尔电阻可能用来作为电阻的自然基准，并且有不受环境条件影响的优点。1982年，美国贝尔实验室的科学家们又发现霍尔平台可以出现在N 取1/3和2/3等分数值的情况。对二维电子气的这些重要物理特性的研究促进了固体物理学的发展。对二维电子气的深入研究有助于了解它的基本物理过程。由于半导体异质结界面处二维电子气中的电子迁移率很高，1980年以来已被利用来研制超高速电子器件。
二维电子气中，电子的总能量为垂直于表面运动的能量（分立值）与平行于表面运动的能量（可以连续变化）之和，这一系列能量状态形成许多个子能带。在很低的温度下，二维电子气呈现一系列特异的量子效应。如果垂直于表面加一个强磁场，每个子能带会变成一系列朗道能级，成为能量完全分立的系统。半导体表面附近有时也会积累起大量的空穴，这时会形成类似的二维空穴气。
1957年，J.R.施里弗从理论上预示了反型层电子的二维运动特性，1966年，A.B.福勒尔等人从实验上证实了这一论述。此后物理学家们进行了大量的理论和实验研究工作。1980年,K.克利钦发现二维电子气的霍尔电阻特性具有量子化的"平台"，其数值精确地等于基本常数h/e2的N分之一（h为普朗克常数,e为电子电荷，N为正整数）。h/e2具有电阻的量纲（约25812.8欧）,因此量子霍尔电阻可能用来作为电阻的自然基准，并且有不受环境条件影响的优点。1982年，美国贝尔实验室的科学家们又发现霍尔平台可以出现在N 取1/3和2/3等分数值的情况。对二维电子气的这些重要物理特性的研究促进了固体物理学的发展。对二维电子气的深入研究有助于了解它的基本物理过程。由于半导体异质结界面处二维电子气中的电子迁移率很高，1980年以来已被利用来研制超高速电子器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条