1) HgCdTe crystal
HgCdTe晶体
1.
To choose suitable growth speed,the shape of solid liquid interface has been investigated by quenching HgCdTe crystal with diameter of 19mm and composition of x = 0.
由实验和讨论得知 ,宜选择较低的晶体生长速度用改进Bridgman法生长HgCdTe晶体。
2) HgCdTe wafer
HgCdTe晶片
1.
In lapping and polishing processes of HgCdTe wafers, the mechanical scratches and unseen damage zones on their surface will be inevitably formed.
对HgCdTe晶片的研磨和抛光 ,不可避免的要在其表面造成可见的机械划痕和不可见的损伤区。
4) HgCdTe/CdZnTe heterostructures
HgCdTe/CdZnTe
1.
Reciprocal space maps of HgCdTe/CdZnTe heterostructures grown by liquid phase epitaxy;
HgCdTe/CdZnTe液相外延材料的倒易空间图研究
5) HgCdTe thin film
HgCdTe薄膜
1.
This paper preliminary studies the feasibility of the growth of the HgCdTe thin films by pulsed laser deposition (PLD) methods.
本论文在实验上初步研究了脉冲激光沉积法(PLD)应用到HgCdTe薄膜的制备上的可行性。
6) HgCdTe detector
HgCdTe探测器
1.
The module is consisted of optic filter attenuator,HgCdTe detector,amplifier,analog to digital converter,and signal processor.
采用室温光导型HgCdTe探测器,研制了可用于中红外激光功率密度测量的探测单元,主要包括衰减片、探测器、放大电路、数据采集和信号处理5个部分。
2.
The paper presents many kinds of experimental results and analysis in the experiment that PC HgCdTe detector is irradiated by 1.
06μm激光为例,使用PC型HgCdTe探测器,从实验的角度全面给出探测器各种可能的激光响应结果;同时给出响应波段内激光辐照探测器时光、热各自作用及光热综合作用的实验曲线,并结合此结果以清晰直观的图像分析了波段内激光辐照光电探测器时各种响应结果的成因。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条