1) barium tetratitanate
四钛酸钡
2) tetragonal barium titanate
四方相钛酸钡
1.
In recent years, hydrothermal synthesis technology for tetragonal barium titanate has become an attractive subject of research.
近年来,水热法合成四方相钛酸钡是一个研究热点问题,主要综述了水热法合成四方相钛酸钡粉体的研究进展,指出目前关于四方相和立方相相变的机理尚不完全清楚,临界尺寸还有待于进一步证实,四方相及其含量的测定还依赖于更为先进的设备和测试方法。
3) barium tetratitanate ceramics
四钛酸钡陶瓷
4) Barium titanate
钛酸钡
1.
Study of the dielectric properties of polyimide/barium titanate composites and its influence factors(Ⅱ);
聚酰亚胺/钛酸钡复合膜介电性能及其影响因素的研究(Ⅱ)
2.
Development of modification of lanthanide ions on barium titanate ceramic structure in the dielectric field;
镧系离子对钛酸钡陶瓷结构的修改在介电领域的进展
3.
Synthesis of nanometer barium titanate with H_2TiO_3 by hydrothermal method under normal pressure;
以偏钛酸为原料常压水热法合成纳米钛酸钡的研究
5) BaTiO3
钛酸钡
1.
Analysis of Ba and Ti Distribution in BaTiO3 Powders Prepared by Spray Pyrolysis;
喷雾热分解法制备的钛酸钡颗粒内钡钛元素分布
2.
Study of Medium Temperature Sintering of Temperature Stable X9R BaTiO3-based Ceramics;
中温烧结热稳定X9R钛酸钡陶瓷的研究
3.
Barium titanate(BaTiO3) is a well-known ferroelectric material with high dielectric constant and low losses above room temperature,and it is extensively used in the electric industry.
钛酸钡具有高介电常数、低的介质损耗等优异的性能,广泛地应用于电子工业中。
6) BaTiO_3
钛酸钡
1.
A density functional theory investigation of the electronic structure and ferroelectric phase transition of BaTiO_3 and PbTiO_3;
钛酸铅及钛酸钡的电子结构和铁电相变的密度泛函理论研究
2.
Preparation and XRD Analysis of Barium Titanate BaTiO_3 Nano-powders;
钛酸钡纳米粉体的制备与X射线衍射分析
3.
Application of Surface Active Agent in Synthesis of BaTiO_3 Nano-Powders;
表面活性剂在合成纳米钛酸钡粉体中的应用
补充资料：四钛酸钡陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：主晶相为四钛酸钡(BaTi4O9)的微波介质陶瓷材料。相对介电常数约为39。介质损耗角正切值约为4×10-4(10Gc)。电容温度系数约为-50×10-6/℃。频率温度系数约为15×10-6/℃。线膨胀系数约为9.4×10-6/℃。抗折强度大于95MPa。主要原料为碳酸钡、二氧化钛或四氯化钛、碳酸钡。采用一般电子陶瓷工艺固相合成。也可采用共同沉淀法合成四钛酸钡，一般烧成工艺或热压法烧结。主要用于制造高频电容器、微波集成电路基片、微波介质谐振器和滤波器等。
CAS号：
性质：主晶相为四钛酸钡(BaTi4O9)的微波介质陶瓷材料。相对介电常数约为39。介质损耗角正切值约为4×10-4(10Gc)。电容温度系数约为-50×10-6/℃。频率温度系数约为15×10-6/℃。线膨胀系数约为9.4×10-6/℃。抗折强度大于95MPa。主要原料为碳酸钡、二氧化钛或四氯化钛、碳酸钡。采用一般电子陶瓷工艺固相合成。也可采用共同沉淀法合成四钛酸钡，一般烧成工艺或热压法烧结。主要用于制造高频电容器、微波集成电路基片、微波介质谐振器和滤波器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条