1) MOS unit
MOS单元
1.
Inserting the Si-dot-layer into the insulator membrane, we formed a special MOS unit with a floating gate.
用减压气相淀积法(LPCVD),在二氧化硅以及石英基板上自组织形成了高密度的(10~(11)cm~(-2))纳米尺寸的半球状硅单晶粒(硅量子点),并进一步利用自组织生成的硅量子形成具有悬浮栅极的MOS单元,验证了硅量子点的量子效应。
2) neuron MOS
神经元MOS
1.
Based on the basic structure and the principle of neuron MOS, the device is simulated with HSPICE using the equivalent circuit model and the "variable threshold" characteristics of the device is obtained.
在神经元MOS的基本结构和工作原理的基础上,使用器件的等效电路模型通过HSPICE仿真软件对器件进行模拟,给出了器件的转移特性曲线,得到了器件的"可变阈值"特性,并介绍了该器件在CDMA匹配滤波器及数字PWM发生器中的应用。
2.
For this reason, a new voting circuit on neuron MOS is researched, suit for the case of variables greater than 4.
用多数表决电路解决图像处理中孤立噪声处理是比较直接而且可靠的方法 ,但是 ,随着变量数的增多 ,电路的规模急剧增大 (呈指数规律 ) ,而少变量的表决电路 (变量数小于 4 )在孤立噪声处理中又没有实用价值 ,为解决该问题 ,提出了一种新型神经元MOS多数表决电路 ,它更适用于变量数大于 4的情况。
3) neuron MOS circuit
神经元MOS电路
1.
A design method for binary neuron MOS circuits employing a summation signal with multiple values is presented.
提出一种通过引入多值求和信号指导设计二值神经元MOS电路的方法。
4) neuron MOS devices
神经元MOS器件
5) MOS prognostic equation for single station
单站MOS预报方程
6) MOS monolithic IC
MOS单片集成电路
补充资料：E/D MOS电路
见增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条