1)  [Si(S2Ph)n]m±
[Si(S2Ph)n]m±
2)  A/S
A/S
3)  S(Ⅳ)
S(Ⅳ)
4)  General maximum
S-
5)  anti-spoofing(A-S)
A-S
6)  S]+
S]+
1.
The doublet potential energy surfaces of [Si, C, S]++ and [Si, C, S]+-systems were investigated by the DFT, QCISD, and CCSD(T) methods.
采用DFT,QCISD及CCSD(T)方法分别对二重态的[Si,C,S]+和[Si,C,S]-体系势能面进行理论计算,用QCISD/6-311+G(d)方法,在[Si,C,S]+和[Si,C,S]-体系中,我们分别得到了2个过渡态连接的3个稳定体和2个过渡态连接的4个稳定体,经热力学及动力学分析发现,[Si,C,S]+体系只有二重态线性的离子[Si—C—S]+可能稳定存在,而[Si,C,S]-体系有二重态线性的离子[Si—C—S]-和三元环c-[SiCS]-可能稳定存在。
参考词条
补充资料:siloxanes and silicones, di-me, di-ph, me vinyl, polymers with ph silsesquioxan
CAS:68037-68-3
中文名称:二甲基-二苯基-甲基乙烯基(硅氧烷与聚硅氧烷)与苯基倍半硅氧烷的聚合物
英文名称:Siloxanes and Silicones, di-Me, di-Ph, Me vinyl, polymers with Ph silsesquioxanes;siloxanes and silicones, di-me, di-ph, me vinyl, polymers with ph silsesquioxan
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。