2) chemical additives
晶型控制剂
1.
Influence of chemical additives on the crystal polymorphs and shapes of precipitated calcium carbonate;
晶型控制剂对沉淀碳酸钙晶型、形态的影响
2.
The size and shape of the particles are controlled by the adding ways of reactors, reaction time, reaction temperature, stirring intensity and chemical additives.
本文采用液相沉淀热分解法制备纳米氧化镁,以不同的镁盐与沉淀剂氢氧化钠合成前驱物氢氧化镁,通过控制反应物加入方式、反应时间及温度、机械搅拌速度等因素,控制纳米氧化镁前驱物的粒度及形貌,并通过添加晶型控制剂控制其形貌。
3) polymorph control
多晶型控制
5) controlled-synthesis
控制合成
1.
The main four controlled-synthesis methods of hybrid nano-materials are sol-gel process, intercalation process, nano-particle-filling and atom transfer radical polymerization.
溶胶-凝胶法、插层法、纳米微粒填充法和原子转移自由基聚合法(ATRP)是杂化材料4种最主要的控制合成方法。
补充资料：晶闸管控制变压器
晶闸管控制变压器
thyristor controlled transformer, TCT
J一ngzhoguon kongZh}b一onyaq-晶闸管控制变压器(thyristor。ontrolled trans-former，TCT)用反向并联晶闸管阀与高阻抗变压器二次绕组串联，并通过晶闸管阀对触发角的相位控制来调节无功功率的静止无功补偿装1。其主要优点是:①可直接接人高压系统，省去另外配置变压器，使配电装里简化;②将配电电压经高阻抗变压器降压，从而可用低压大电流并联方式的晶闸管阀代替技术上较复杂的高压串联方式的晶闸管阀，有时还可带来结构设计上的便利;③控制灵活，也有分相调节功能。其主要缺点是:①损耗比较大;②滤波器必须接在高阻抗变压器的一次侧，在电力系统中TCT的滤波器往往还要吸收系统的谐波分量而可能引起过载;③无功出力和电压平方成正比。 结构原理TCT主要由高阻抗变压器、晶闸管阀和控制器组成，其结构如图所示。高阻抗变压器的漏抗通常设计在50%一100肠之间.具体数值由整机的优化 U要求确定。高阻抗变压，器的大量漏磁通将在变压器的铁磁件和油箱中引起大量涡流损耗和磁带损耗，从而引起严重发热和油质老 TCT结构示意图1一高阻抗变压器.2一晶 闸管阀.3一控制器化。制造厂家采取磁屏蔽和拉直横向磁通等措施予以改善。 TCT的工作原理与TCR相似。(见晶闸管控制并联电杭器) 用途TCT配以固定连接的电容器或滤波器，组成连续可调感性或容性无功功率的静止补偿装t，主要用于冲击负荷工业用户。(见静止无功补偿装1) 发展概况自1976年起，日本以及德国的一些电气制造公司为钢铁企业提供TCT型静止补偿装里.单台容量为1一20 Mvar，晶闸管阀的额定电压大约在lkV左右。1979年在加拿大735 kV输电系统的劳伦第德变电所投人了当时世界上应用于电力系统的最大的一套TCT，其可调部分的容量为450 Mvar。目前TCR型静止无功补偿装置逐渐取代了TCT型。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条