1) separation of germanium from zinc
锌锗分离
2) zinc-germanium separation
锌-锗分离
3) separation of silicon
硅锗分离
4) sulphur-zinc separation
硫锌分离
6) nickel-zinc separation
镍锌分离
补充资料:二磷化锗锌晶体
分子式:ZnGeP2
CAS号:
性质:周期表Ⅱ,IV,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿结构。晶格常数0.5465nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度2.42eV。一般为p型半导体,空穴迁移率为1.5×10-3m2/(V·s)。熔点1280℃。采用布里奇曼法、区域熔炼法、锌液中生长等法制取。为可见光发光材料和非线性光学材料。
CAS号:
性质:周期表Ⅱ,IV,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿结构。晶格常数0.5465nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度2.42eV。一般为p型半导体,空穴迁移率为1.5×10-3m2/(V·s)。熔点1280℃。采用布里奇曼法、区域熔炼法、锌液中生长等法制取。为可见光发光材料和非线性光学材料。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条