1) three-dimensional morphology of dislocations
位错三维形态
2) dislocation configuration
位错形态
1.
A study on dislocation densities and dislocation configuration in 20CrMnTi steel;
20CrMnTi钢位错密度的测定及其位错形态研究
3) three-dimensional(3-D) fictitous dislocation
三维虚位错
4) dislocation pit
位错坑形态
1.
The dislocation density and the morphology of dislocation pit of GaP:N LPE semiconductor is studied by SEM.
利用扫描电子显微镜研究GaP：NLPE材料中位错密度和发光的关系及位错坑形态，结果发现：样品经外延后，外延层的位错密度比衬底的位错密度有不同程度的下降，因样品各异，下降幅度为37％～83％；外延层的位错密度越低，样品的发光越好。
5) three-dimensional morphology
三维形态
1.
In this paper, three-dimensional morphology of grain boundary and intragranular ferrite and the relations between intragranular ferrite and inclusions in an Fe-0.
48%Mn低碳微合金钢中晶界、晶内铁素体的三维形态以及晶内铁素体与夹杂物之间的关系。
6) three-dimensional negative dislocation model
三维负位错模型
1.
By using data observed by GPS and leveling with different distribution density in northeastern margins of Qinghai-Tibet block during 1999—2004,united inversion of three-dimensional negative dislocation model is realized,and the status and difference of strain accumulation of different segments of block boundary faults are studied.
利用1999—2004年青藏块体东北缘分布密度不同的GPS与区域水准观测资料,实现三维负位错模型联合反演,综合研究该区活动块体边界断裂的应变积累状况及其分段差异性。
补充资料：不全位错
不全位错
partial dislocation
不全位错partial disloeation伯格斯矢量不是晶格恒同平移矢量的位错。它是堆垛层错的边界，也即是层错与完整晶体部分的分界线。以fcc晶格为例，最常。二‘。一‘，，，、~，，一一，、，、二加，‘爪1，，，八、~，.I见的是在{111}类型的面上通过操作:①告<112>类型2.“J~阵、“‘，~~曰刁~一~一一’「‘~6、““’~~滑移;②抽去一个{111}层，并使上下两岸复合;③插入一个{111}层。这3种操作均造成层错，此层错的边界即是不全位错。分别称为肖克利不全位错， 1‘，，。、0=~不Lll乙J O负弗兰克不全位错，正弗兰克不全位错，。一告〔“‘〕。一奇〔“‘〕。 不全位错复杂之处在于它必然与层错相联系而存在，所以它的形式和运动均受层错之制约。例如上述肖克利不全位错只能在{111}面上作滑移，而弗兰克不全位错根本不能滑动。除fcc晶体外，在hcp、bcc、金刚石结构及其他许多实际晶体中，不全位错是很常见的。一个全位错可以分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，通常称为扩展位错。 (杨顺华)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条