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1)  C 3N 4
C3N4
1.
X-ray diffraction and transmission electron microscopy indicate the films are mainly composed of α-and β-C 3N 4, and these results match more closely with α-C 3N 4 than with β-C 3N 4 phase.
9% )作反应气体 ,在单晶Si(10 0 )基片上沉积C3N4薄膜 。
2.
Graphite C 3N 4 has been produced by pulsed laser inducing the reaction at ammonia solution graphite interface at the first time.
透射电子显微镜 ( TEM)、高分辨电子显微镜 ( HREM)和 X射线光电子谱分析表明 ,通过脉冲激光诱导液氨 -石墨靶界面反应首次合成了石墨相 C3N4
2)  C_3N_4 crystallites
C3N4晶体
3)  graphite-like C3N4
石墨型C3N4
4)  synthesis of β C 3N 4
β C3N4的制备
5)  C_3/C_4
C3/C4
6)  C 3-modules
C3-模
补充资料:X射线晶体结构分析
分子式:
CAS号:

性质:利用X射线与晶体间产生的衍射效应对晶体结构进行解析。其基本原理与主体技术(使用单晶与单色X射线)可概括为与正、反傅里叶变换对应的两个方面:(1)以单色的X射线作用于转动的单晶,利用基于相干散射的衍射效应与单晶衍射仪,将与正格空间对应的晶体结构以正变换导出与倒格空间对应的衍射强度数据组;(2)以衍射强度实验数据为基础,通过反变换的傅里叶函数计算及位相的理论处理,使晶体结构以解析或图像的方式呈现。

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