1) Rectifying properties
整流特性
1.
Improvement of rectifying properties of LSMO/Si heterojunction by SrMnO_3 barrier layer;
SrMnO_3阻挡层对La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3/Si异质结整流特性的改善
2.
The I-U curve of Al/Al_2O_3 interface is measured and the mechanism of rectifying properties is analyzed.
利用扫描电子显微镜(SEM)对多孔氧化铝薄膜的结构形貌进行了表征,测量了Al/Al2O3界面的电流电压(I-U)特性曲线,并对多孔铝整流特性的机理进行了分析,很好地解释了交流电沉积的原因。
3.
Clear rectifying properties have been observed in a wide temperature range,and the lower doping concentration of the Nb: STO substrates is,the clearer the rectifying properties of the heterojunction.
异质结在很宽的温度范围内都表现出明显的整流特性,且Nb:STO基片的Nb掺杂浓度越低,异质结的整流效果就越明显。
3) IV rectifier characteristic
IV整流特性
4) rectification characteristic
整流特性曲线
5) rectifying characteristic function
整流特性函数
6) transrectification characteristic n.
屏极整流特性
补充资料：半导体整流器
用硒、氧化亚铜、锗、硅等半导体材料制成的整流器。氧化亚铜整流器常用于电流很小的场合，如测量仪表中；硒、锗、硅整流器用于电流较大的场合；大电流的场合则用可控硅整流器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条