1) weak polarization region
离子注入铅的铝电极
1.
The anodic polarization curves of lead implanted aluminium electrodes have been determined in sulfuric acid in weak polarization region at 25℃.
在弱极化区测量了 2 5℃时H2 SO4溶液中离子注入铅的铝电极的阳极极化曲线 。
2) Ion implantation of lead
离子注入铅
3) Pb~+ ion-implantation
铅离子注入
1.
These indicate that Pb~+ ion-implantation can improve the resistance to abrasi.
采用离子注入技术将铅离子注入到ITO薄膜玻璃中,用分光光度计、四探针测试仪、硬度计等测定了ITO膜注入前后的光学性能、电学性能、机械性能和化学德定性。
4) Al ion implantation
铝离子注入
1.
Amorphous ZnO thin films were prepared by MF unbalanced dual magetron sputtering process,then the Al ion implantation was done into the films with different doses to prepare Al-doped ZnO(ZOA) thin films as semi-conductor photoelectron material.
本文采用中频孪生非平衡磁控溅射设备制备非晶ZnO薄膜,再以不同剂量的铝离子注入法制备氧化锌铝薄膜。
5) Co ion implanted modified electrode
钴离子注入修饰电极
6) ion implantation chemical modified electrodes
离子注入修饰电极
补充资料：离子注入（ionimplantation）
离子注入（ionimplantation）
用离子加速器将各种离子注入半导体材料，从而改变半导体材料的电学、光学或其他物理性质的半导体工艺技术，称为离子注入技术。自从20世纪70年代以来离子注入技术在半导体器件制备工艺中获得了广泛应用，是半导体器件工艺的最主要技术之一。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条