1) dynamic bio-oxidation
动态细菌氧化
2) bio-oxidation
细菌氧化
1.
And their bio-oxidation durations are therefore different because of their different distributions in gold-bearing ores.
三种单矿物分布在金矿石中的含量不同,细菌氧化周期也随之改变。
2.
The result of the experiment shows that after 45 days bio-oxidation,the removing rate of iron of the ore in 0～5mm grain size is 28.
本试验在堆浸前对矿石进行了细菌氧化预处理 ,试验结果表明 :0～ 5mm粒级矿石经 4 5d氧化后 ,Fe的氧化率为 2 8。
3.
The bio-oxidation as a pretreatme.
含铜金矿石的细菌氧化作用导致硫化物溶解，铜呈硫酸铜形式被脱除。
3) biooxidation
细菌氧化
1.
Analysis of effective factors of pyrite biooxidation;
黄铁矿细菌氧化影响因素探析
2.
Optimization of Biooxidation Pretreatment Process of Hard-to-leach Gold Ore;
难浸金矿细菌氧化预处理工艺流程的优化
3.
The investigations on biooxidation mechanism of sulfides are reviewed, and the model for sulfide biooxidation is introduced.
综述硫化矿细菌氧化机理的研究结果 ,介绍硫化矿生物氧化模
4) Bacterial oxidation
细菌氧化
1.
Research and operations of gold extraction process by bacterial oxidation;
细菌氧化提金工艺的研究与生产实践
2.
Experimental study on bacterial oxidation of carbon-bearing high arsenic refractory gold concentrate;
含碳高砷型难浸金精矿细菌氧化试验研究
3.
Current status of studies on bacterial oxidation and pre-disposal of refractory gold ores;
难处理金矿石的细菌氧化预处理研究现状
5) bacteria oxidation
细菌氧化
1.
The experiment on bacteria oxidation preprocessing gold ore at Pangjiahe is introduced in this paper.
介绍细菌氧化预处理庞家河金矿的试验结果,该金矿经细菌氧化处理,可脱除45%～60%的硫,70%～80%的砷,氰化浸金率可从38%提高到88%～93%。
2.
This paper introduced 2704 controller and it′s application in controlling of bacteria oxidation of mineral with arsenic.
介绍了欧陆公司的 2 70 4控制器及其在含砷矿细菌氧化工艺控制中的应
3.
In the process of bacteria oxidation, cyanide in gold concentrate is poisonous to bacteria and severely impacts bacterial oxidation effectiveness, as a result, the content of cyanide in gold concentrate is strictly controlled in practice.
在细菌氧化过程中,金精矿含有氰化物,会对细菌起到毒害作用,严重地影响细菌氧化处理,因此实际生产时对金精矿中的氰化物含量提出了严格的要求。
6) dynamic of bacteria
细菌动态
补充资料：金属-氧化物-半导体动态随机存储器
具有动态存储信息功能的MOS随机存储器。MOS动态随机存储器多采用双层多晶硅硅栅N沟MOS工艺。存储单元的结构如图1。衬底为 P型（100晶向）硅片，第一层多晶硅（Ⅰ）为MOS电容器的板极，第二层多晶硅（Ⅱ）构成字线,N+注入区形成MOS单元开关管源区和漏区，铝(Al)为位线。信息存储主要由第一层多晶硅（Ⅰ）电极、介质膜和硅衬底组成的电容器中的存储电荷(有电荷为1，无电荷为0)来实现。存储在电容器中的电荷因漏电而衰减和消失，因此经过一定时间（再生周期）必须按所存信息加以刷新。这是称为"动态"的由来。这样的单元一般被组合成矩阵，如以字线为行，位线为列，通过行与列的译码器可随机选取各单元地址，进行写入和读出。这种存储器写入和读出的内容、所需的时间原则上与单元的位置无关，是随机存取的。
MOS动态随机存储器主要用作大、中型计算机的主存储器，其组织结构一般为若干千字(k)×1位。例如,64k位就是64千字×1位。
MOS动态随机存储器的内部电路,大致包括地址缓冲器、行译码器、列译码器、存储单元阵列、读出放大器、数据输入电路、数据输出电路、读－写控制电路、时钟产生电路和衬底偏置电压产生电路等几个部分（图2）。
MOS 动态随机存储器的核心电路是存储单元和读出放大器（图3）。读出放大器的两臂通过 b（位线）、（位线）分别连接由不同字线控制的个单元。2n个单元构成第i列。这一列单元中存储信息可以在列选择线 (Yi) 的控制下，通过数据总线（I/O、/O）等传送到数据输出端，或按照数据输入端的信息而改变。任一字线nj=1，...，2n分别与2n个列中的一个单元相连接。当2n个字线中的一个，如W0被选时,它打开单元开关管Q，导致在单元电容器CS与位线电容器Cb之间进行电荷再分配,从而使位线b电位改变,而位线的电位并未变化。这就在b、间建立了一个电位差。通常Cb/CS约为10～20,因这个电位差(墹U)是一个相当小的量,不能直接读出,要经过读出放大器放大。当第i列被选时,单元中存储信息可与数据端(Di、D0)建立联系。当第i列未被选时,读出放大器把存储信息恢复并送入单元。
行地址信号在行地址选通时钟()的控制下，进入并封锁在地址缓冲器中，它控制行译码器和驱动电路，选中2n个字线中的一个Wj。于是,该行单元中的信息分别在各自对应列的位线上读出，并经过相应的读出放大器放大。列地址信号在列地址选通时钟()控制下,进入并被封锁在地址缓冲器中，它控制列译码器和驱动电路,选中2n个列选择线中的一个Yi。于是,第j行、第i列的单元经过位线（b、）、数据线(I/O，O)与外界建立联系。当集成电路的读写控制端(R/)处于高电平时，数据线(I/O,O)与数据输出电路间连接，于是被选单元的信息由数据输出端D0读出。当R/处于低电平时，数据输入电路与数据线（I/O、/O）之间存在着通道。被选单元的存储信息随数据输入端的信息而改变。
MOS动态随机存储器采用新的单元结构,如用沟壁电容代替平面电容，可进一步减小单元面积，提高集成度。芯片面积的不断增加，而材料和工艺致缺陷密度不能随之降低，因此设计后备电路、采用容错技术是重要的趋势。由于MOS动态随机存储器的存储电容约为50飞法,处理的电荷量仅0.2皮库左右,入射到硅衬底中的α 粒子产生的载流子一旦流到存储结点,往往使MOS动态随机存储器暂时失效，这称为软失效。随着单元面积的不断减小，这个问题就更为明显。引入CMOS技术制造动态随机存储器，是减小α 粒子致软失效的一个有效手段。
参考书目
Jerry Eimbinder,Semiconductor memorier,Mactier Pub.Co., New York, 1971.
MOS动态随机存储器主要用作大、中型计算机的主存储器，其组织结构一般为若干千字(k)×1位。例如,64k位就是64千字×1位。
MOS动态随机存储器的内部电路,大致包括地址缓冲器、行译码器、列译码器、存储单元阵列、读出放大器、数据输入电路、数据输出电路、读－写控制电路、时钟产生电路和衬底偏置电压产生电路等几个部分（图2）。
MOS 动态随机存储器的核心电路是存储单元和读出放大器（图3）。读出放大器的两臂通过 b（位线）、（位线）分别连接由不同字线控制的个单元。2n个单元构成第i列。这一列单元中存储信息可以在列选择线 (Yi) 的控制下，通过数据总线（I/O、/O）等传送到数据输出端，或按照数据输入端的信息而改变。任一字线nj=1，...，2n分别与2n个列中的一个单元相连接。当2n个字线中的一个，如W0被选时,它打开单元开关管Q，导致在单元电容器CS与位线电容器Cb之间进行电荷再分配,从而使位线b电位改变,而位线的电位并未变化。这就在b、间建立了一个电位差。通常Cb/CS约为10～20,因这个电位差(墹U)是一个相当小的量,不能直接读出,要经过读出放大器放大。当第i列被选时,单元中存储信息可与数据端(Di、D0)建立联系。当第i列未被选时,读出放大器把存储信息恢复并送入单元。
行地址信号在行地址选通时钟()的控制下，进入并封锁在地址缓冲器中，它控制行译码器和驱动电路，选中2n个字线中的一个Wj。于是,该行单元中的信息分别在各自对应列的位线上读出，并经过相应的读出放大器放大。列地址信号在列地址选通时钟()控制下,进入并被封锁在地址缓冲器中，它控制列译码器和驱动电路,选中2n个列选择线中的一个Yi。于是,第j行、第i列的单元经过位线（b、）、数据线(I/O，O)与外界建立联系。当集成电路的读写控制端(R/)处于高电平时，数据线(I/O,O)与数据输出电路间连接，于是被选单元的信息由数据输出端D0读出。当R/处于低电平时，数据输入电路与数据线（I/O、/O）之间存在着通道。被选单元的存储信息随数据输入端的信息而改变。
MOS动态随机存储器采用新的单元结构,如用沟壁电容代替平面电容，可进一步减小单元面积，提高集成度。芯片面积的不断增加，而材料和工艺致缺陷密度不能随之降低，因此设计后备电路、采用容错技术是重要的趋势。由于MOS动态随机存储器的存储电容约为50飞法,处理的电荷量仅0.2皮库左右,入射到硅衬底中的α 粒子产生的载流子一旦流到存储结点,往往使MOS动态随机存储器暂时失效，这称为软失效。随着单元面积的不断减小，这个问题就更为明显。引入CMOS技术制造动态随机存储器，是减小α 粒子致软失效的一个有效手段。
参考书目
Jerry Eimbinder,Semiconductor memorier,Mactier Pub.Co., New York, 1971.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条