1) ion implantation mixing
离子注入混合
1.
It includes plasma based ion implantation(PBII) and ion implantation mixing (PBIIM) for aluminum alloys, titanium alloys, bearing steels and their application in industries.
简要总结了哈工大近 10年来在材料的等离子体基离子注入表面改性方面的工作 ,包括铝合金、钛合金、轴承钢的等离子体基离子注入 ,等离子体基离子注入混合 ,以及等离子体基离子注入的工业应用
2) implanting Ta by dynamically mixing ion beams
离子束混合注入
1.
Influence on GCr 15 corrosion resistance through implanting Ta by dynamically mixing ion beams;
1mol/L NaCl溶液中电化学方法测试和人造海水环境的模拟试验及盐雾试验检测结果表明,离子束混合注入Ta具有极好抗全面腐蚀和抗点腐蚀的性能,其效果优于注Ti或注Cr,其耐蚀性提高的机理是由于注入表面形成高稳定性的Ta_2O_5防护膜和富钽的非晶态合金层。
3) dynamic ion beam mixed implantation(DIMI)
离子束动态混合注入
4) Dynamic ion-beam mixed implantation
动态离子束混合注入
5) plasma polymerization/dynamic ion-beam mixed implantation
等离子体聚合/动态离子束混合注入
6) plasma based ion mixing implantation
等离子体基离子混合注入
1.
In this paper,the concentrations of N,Ti,Fe and tribological properties of the modified layers formed in the surface of steel GCr15 by using plasma based ion mixing implantation technology were studied.
研究了ＧＣｒ１５钢等离子体基离子混合注入Ｎ、Ｔｉ层的元素浓度分布和摩擦特性。
补充资料：离子注入（ionimplantation）
离子注入（ionimplantation）
用离子加速器将各种离子注入半导体材料，从而改变半导体材料的电学、光学或其他物理性质的半导体工艺技术，称为离子注入技术。自从20世纪70年代以来离子注入技术在半导体器件制备工艺中获得了广泛应用，是半导体器件工艺的最主要技术之一。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条