1) coal base functional materials
煤基功能材料
2) coal base material
煤基材料
1.
The research fields and the newer progress of coal base materials are systematically introduced.
文中系统评述了煤基材料的研究内容和最新进展 ,重点介绍了西安科技学院在煤基材料方面的重要研究成
3) function material
功能材料
1.
Preparation of new-type water-borne epoxy function material of environment-protecting modi cation;
新型环保改性水性环氧功能材料的研制
2.
Application And Development of Function Material to Military;
功能材料在兵器上的应用与进展
4) functional material
功能材料
1.
Review of application of phthalocyanines as functional materials in battery;
酞菁作为功能材料在电池中的应用研究
2.
On the high performance electro-hydraulic servo valve driven by novel functional materials;
新型功能材料驱动的高性能电液伺服阀
6) function materials
功能材料
1.
The structure and characteristic of phthalocyanine and metal phthalocyanine can be adjusted and changed through its modification,and consequently,many advanced function materials are developed.
酞菁及金属酞菁的改性组装可以调变其结构和特性,进而开发出多种先进的功能材料。
2.
Development,research and applications of foam metals in the world was presented and thereby the reliable basis of theory and technology for producing new function materials was privided.
详细论述了国内外泡沫金属的发展情况、研究现状与应用状况 ,从而为我国生产新型多功能材料提供可靠的工艺与理论参考依
3.
Comparing with traditional servo valves, the electro-hydraulic servo valves whose actuators are driven by a new type of function materials (GMM and PMN etc) have many merits such as high response, high precision, and large output force etc.
介绍了几种基于新型功能材料 (超磁致伸缩材料GMM和电致伸缩材料PMN等 )的电液伺服阀的结构组成和工作原理 ,并对它们的各自特点进行了对比分析。
补充资料：半导性功能复合材料
分子式：
CAS号：
性质：具有半导性功能的超薄多层复合材料，也是近年来迅猛发展的材料。这是因为分子束外延(MBE)技术的进步已可把薄膜厚度的控制发展到原子层水平。直接在硅衬底上生长砷化镓及其有关化合物的极性扫E极性复合半导体异质结已经获得成功并已制成优质的器件。另外用先进的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)法可以在GaAs衬底上生长出CdTe薄膜单晶，也可以制备GaAs/A1GaAs/GaAs多层复合结构的半导体材料。这些半导性功能复合材料的优点在于具有范围较宽的禁带和迁移率，能满足某些半导体技术上的要求，例如制造霍尔效应的器件以及微波器件。目前正在发展绝缘体-半导体、金属-半导体等复合体系。
CAS号：
性质：具有半导性功能的超薄多层复合材料，也是近年来迅猛发展的材料。这是因为分子束外延(MBE)技术的进步已可把薄膜厚度的控制发展到原子层水平。直接在硅衬底上生长砷化镓及其有关化合物的极性扫E极性复合半导体异质结已经获得成功并已制成优质的器件。另外用先进的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)法可以在GaAs衬底上生长出CdTe薄膜单晶，也可以制备GaAs/A1GaAs/GaAs多层复合结构的半导体材料。这些半导性功能复合材料的优点在于具有范围较宽的禁带和迁移率，能满足某些半导体技术上的要求，例如制造霍尔效应的器件以及微波器件。目前正在发展绝缘体-半导体、金属-半导体等复合体系。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条