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1)  inelastic electron tunneling spectroscopy
非弹性隧道谱
2)  Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy
非弹性电子隧穿谱
1.
Theoretical Studies on Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy of Molecular Electronic Devices;
分子器件非弹性电子隧穿谱的理论研究
3)  inelastic spectral
非弹性谱
4)  inelastic electron tunnelling
电子非弹性隧穿
5)  elastic tunneling effect
弹性隧道效应
6)  tunneling spectrum
隧道谱
1.
It is found that the tunneling spectrum depends strongly on the relative strength of the two components.
考虑界面粗糙散射 ,在Blonder Tinkham Klapwijk(BTK)理论框架下 ,通过求解Bogoliubov deGennes(BdG)方程 ,分别计算T =0K和有限温度下 ,dx2 -y2 +idxy混合波正常金属 绝缘层 超导体结中的准粒子输运系数和隧道谱 。
2.
Taking into account finite quasiparticle lifetime effects within the Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK) scattering formalism,using Bogoliubov-de Gennes(BdG) equation,we have calculated the quasiparticle transport coefficients and the tunneling spectrum in the normal metal/d_(x~2-y~2)+id_(xy) mixed wave superconductor tunnel junctions.
考虑到准粒子的有限寿命效应,在Blonder-Tinkham-Klapw ijk(BTK)理论框架下,通过求解Bogo liubov-de G ennes(BdG)方程,计算正常金属/dx2-y2+idxy混合波超导隧道结中的准粒子输运系数与隧道谱。
3.
Taking into account the impurities scattering in the normal metal region, using square-potential barrier to describe the insulating layer, we study further the tunneling spectrum of the normal metal/insulating layer/s-wave superconductor tunnel junctions making use of Bogoliubov-de Gennes(BdG) equation and Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK) theory.
以方势垒描述绝缘层,考虑正常金属区域的杂质散射,运用Bogoliubov-deGennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,对正常金属/绝缘层/s波超导隧道结(NIS结)中的隧道谱作进一步研究。
补充资料:弹性散射和非弹性散射
弹性散射和非弹性散射
elastic scattering and inelastic scattering
    使用粒子间碰撞来研究粒子的性质、相互作用和内部结构的两种情况。如果碰撞过程中两粒子间只有动能的交换,粒子类型、其内部运动状态和数目并无变化,则称为弹性散射或弹性碰撞。如果碰撞过程中除了有动能交换外,粒子的数目、类型和内部状态有所改变或转化为其他粒子,则称为非弹性散射或非弹性碰撞。
   散射过程的研究对于了解许多物理现象具有很重要的意义。例如E.卢瑟福对a粒子被物质散射的研究,提出原子的有核模型;J.弗兰克和G.L.赫兹的电子与原子碰撞实验证实了N.玻尔的定态假设;建造高能加速器就是利用被加速粒子的散射过程来研究粒子的性质、相互作用和相互转化的规律。60年代末到70年代初利用高能轻子对质子和中子的深度非弹性散射的实验,发现质子和中子内部存在点状结构。
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参考词条