1) Sn-doped
锡掺杂
1.
This article reports our measure results of scanning electron microscope, X-ray diffraction, UV-optical absorption and resistivity changes depended on tempture for Sn-doped C 60 thin film.
本文报道了锡掺杂C6 0 薄膜样品的扫描电镜 ,X射线衍射 ,紫外可见吸收光谱和电阻随温特性的测量结果 ;显示样品由纳米级颗粒组成 ,为面心立方结构 ,掺杂锡原子在禁带中形成施主能级 ,电阻随温度增加呈指数衰减 ,霍耳效应证实为N型半导体。
2.
X-ray diffraction, UV optical absorption and resistivity for Sn-doped C60 thin film.
本文报道了锡掺杂C60薄膜样品的扫描电镜,X射线,紫外可见光吸收和电阻的测量结果,显示薄膜为纳米级颗粒组成,掺锡前后基本结构不变;掺锡后紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰显著下降,且三个峰位都有微小红移;电阻随温度增加而呈指数衰减,呈半导体型,霍尔效应证实为N型半导体。
2) Sn/Pb dopping
锡(铅)掺杂
3) Sn xZr 1-xO 2
钇掺杂锡锆
1.
Yttrium doped Sn xZr 1-xO 2 solid solution catalysts were prepared by the wet-incipient technique of impregnation Sn-Zr hydrous oxides with SnO 2 content of 60wt% using Y(NO 3) 3 solution.
本研究制备了钇掺杂锡锆固溶体催化剂 ,发现Y的最佳掺杂量为 6 % (wt) ,以尿素水解方法制备的水合锡锆氧化物为前体浸渍硝酸钇制备的催化剂在 35 0℃有 80 %的NO转化率 。
4) Mn and Sn dopants
锰和锡掺杂
5) SnO2 doping
二氧化锡掺杂
6) antimony doped tin oxide
锑掺杂二氧化锡
1.
The conducting mechanism and preparation status of nano-sized antimony doped tin oxide (ATO) are introducted.
从二氧化锡的应用出发,总结了锑掺杂二氧化锡的导电机理和该材料湿相制备方法的研究现状。
2.
Polyethylene terephathalate(PET)-polyether ester(PEE)/antimony doped tin oxide(ATO) composites(PET-PEE/ATO) were prepared by means of three-step co-polycondensation.
采用三步共缩聚法制得聚对苯二甲酸乙二酯-聚醚酯/锑掺杂二氧化锡复合聚酯。
3.
The characteristics, conductive mechanism, status of preparation, exisiting problems of antimony doped tin oxide(ATO) are introducted.
介绍了锑掺杂二氧化锡(ATO)的特点、导电机理、制备方法研究现状及目前存在的问题。
补充资料：掺杂锡的磷酸镁锶
CAS：68784-28-1
中文名称：掺杂锡的磷酸镁锶
英文名称：Phosphoric acid, magnesium strontium salt, tin-doped； Phosphoric acid,magnesium strontium salt,tin-doped
中文名称：掺杂锡的磷酸镁锶
英文名称：Phosphoric acid, magnesium strontium salt, tin-doped； Phosphoric acid,magnesium strontium salt,tin-doped
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条