1) crystal growth
晶体长大
1.
The batch reactor often used to investigate the kinetics of crystal growth on seeded precipitation of sodium aluminate solution.
01,T=65～75℃条件下,铝酸钠溶液种分过程晶体长大的速率表达式为:G(L)=k_0×β~2×exp(Ea/RT)。
2) austenite grain growth
奥氏体晶粒长大
1.
The austenite grain growth behaviors of four different microalloyed steel at 1200℃ were studied .
研究了四种有代表性的微合金钢在1200℃时奥氏体晶粒长大的规律,结果表明,20MnTi、35MnVNb、33Mn2VTi具有相似的抗晶粒粗化能力。
2.
For a better understanding of new steel 33Mn2V for oil-well tubes, austenite grain growth behavior of the steel is experimentally studied at various elevated temperatures and holding for different times.
系统研究了用于生产N80级热轧非调质无缝油井管的钢种33Mn2V在不同加热温度和不同保温时间下的奥氏体晶粒长大规律,结果表明,该钢在1100和1200℃保温时,奥氏体晶粒等温长大规律较好地服从抛物线型经验表达式,等温长大指数n均相当接近1/2,若等温时间为10 min,利用ASTM晶粒度级别等于5。
3) austenitic grain growth
奥氏体晶粒长大
1.
To observe the austenitic grain growth dynamically of T10A with different original structures during heating in vacuum.
对T10A钢试样在真空加热时奥氏体晶粒的长大现象进行动态观察 ,绘制晶粒长大动力学曲线 ,分析和讨论影响奥氏体晶粒长大的各种因素。
2.
To discuss spontaneous energe transform process of austenitic grain growth and some effect factors .
论述奥氏体晶粒长大的能量转变自发过程及各种影响因素。
4) Crystal nucleation and growth
晶体形核和长大
5) crystal growth
晶粒成长，晶粒长大，晶体生长
6) Grain growth
晶粒长大
1.
Monte Carlo simulation of grain growth——Recursive statistics method of grain size;
晶粒长大的Monte Carlo模拟方法——递归统计法测定晶粒度
2.
Cellular automaton model for grain growth based on modified transition rule;
基于改进转变规则的晶粒长大CA模型
3.
Rule of welding HAZ grain growth in the ultra-fine grain steel;
超精细粒钢中焊接HAZ晶粒长大规律
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条