1) unsaturated-carbenoid H 2CCLiBr
不饱和类碳烯H2C═CLiBr
2) H 2C=XLiF
不饱和类烯H2C=XLiF
3) unsaturated germylenoid H2CGeNaBr
不饱和类锗烯H2CGeNaBr
1.
The unsaturated germylenoid H2CGeNaBr was studied by using the DFT/B3LYP method in conjunction with the 6-311G(d,p) basis set.
应用密度泛函理论DFT方法,在B3LYP/6-311G(d,p)水平上研究了不饱和类锗烯H2CGeNaBr的结构及异构化反应。
4) Unsaturated silylenoid H2C=SiNaF
不饱和类硅烯H2C=SiNaF
5) unsaturated silylenoid H2CSiNaCl
不饱和类硅烯H2CSiNaCl
1.
The unsaturated silylenoid H2CSiNaCl was studied by using the DFT method at the B3LYP/6-311G(d,p) level of theory.
采用密度泛函理论方法,在B3LYP/6-311G(d,p)水平上研究了不饱和类硅烯H2CSiNaCl的结构。
6) unsaturated germylenoid H2CGeLiBr
不饱和类锗烯H2CGeLiBr
1.
The unsaturated germylenoid H2CGeLiBr is studied by using the DFT B3LYP and QCISD methods.
采用DFT B3LYP和QCISD方法研究了不饱和类锗烯H2CGeLiBr的结构及异构化反应。
补充资料：含不饱和碳碳键聚合物
分子式：
CAS号：
性质：含不饱和碳碳键的功能聚合物主要有三种类型，第一种为聚合物中不饱和键相互共轭，构成线性共轭聚合物，包括聚乙炔型、聚芳杂环和聚苯衍生物。这类聚合物多具有电子导电和光导电特性，经掺杂处理后导电率可以达到半导体，甚至金属导体范围。是重要的导电聚合物。第二种为不饱和键表现为多核芳香烃，或者多核杂环等共轭结构，而各共轭结构相互之间相对独立，处在饱和聚合物的侧链上。这种聚合物多表现出一定光导特性，如聚乙烯基咔唑，是重要的高分子光导材料。第三种为不饱和键在聚合物中孤立存在，如含有肉桂酸酯的聚合物，这种聚合物在紫外光照射下能够发生交联反应，是潜在的负性光刻胶，可以用于印刷制版和集成电路生产。碳碳双键中的π电子还具有配位能力，与过渡金属离子构成类似二茂铁型络合物。
CAS号：
性质：含不饱和碳碳键的功能聚合物主要有三种类型，第一种为聚合物中不饱和键相互共轭，构成线性共轭聚合物，包括聚乙炔型、聚芳杂环和聚苯衍生物。这类聚合物多具有电子导电和光导电特性，经掺杂处理后导电率可以达到半导体，甚至金属导体范围。是重要的导电聚合物。第二种为不饱和键表现为多核芳香烃，或者多核杂环等共轭结构，而各共轭结构相互之间相对独立，处在饱和聚合物的侧链上。这种聚合物多表现出一定光导特性，如聚乙烯基咔唑，是重要的高分子光导材料。第三种为不饱和键在聚合物中孤立存在，如含有肉桂酸酯的聚合物，这种聚合物在紫外光照射下能够发生交联反应，是潜在的负性光刻胶，可以用于印刷制版和集成电路生产。碳碳双键中的π电子还具有配位能力，与过渡金属离子构成类似二茂铁型络合物。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条