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1)  transport process
输运过程
1.
A study on steady-state condition in one-dimensional transport processes of gas;
对气体一维输运过程稳定态方程的讨论
2.
Monte Carlo simulation of transport process of the electron and active particle in the hot filament assisted glow discharge of hydrogen plasma
热丝助进氢等离子体中电子及活性粒子输运过程的蒙特卡罗模拟
3.
This paper overall and systematically reviews the research progress on the numerical simulation of transport process in the vertical Bridgman crystal growth in the last twenty years, and summarises in brief moreover.
全面系统地回顾了坩埚下降法晶体生长中输运过程的数值模拟近二十年来的研究进展,并进一步作了简单总结。
2)  transport processes
输运过程
1.
Pore structure of cell wall of wood and transport processes of substance.;
木材细胞壁的空隙构造及物质的输运过程
2.
In order to reconstruct the depositional history of ancient epicontinental seas, it is important to understand sediment characteristics and transport processes of fine-grained sediment on modem continental shelf environments.
根据对沉积物样品的粒度、地球化学和粘土矿物分析,~(210)Pb沉积速率测定及ADCP数据处理,探讨了北黄海细颗粒沉积物的沉积特征和输运过程,并分析评价了激光粒度仪测试结果,探讨了ADCP测量悬沙浓度的可行性。
3)  transportation process of gases
气体输运过程
4)  metal transport process
金属输运过程
5)  metal transport process
金属运输过程
6)  transportation in the circulation process
流通过程运输
补充资料:晶体生长输运过程


晶体生长输运过程
transport processes in crystal growth

运,结晶才能继续。 晶体生长中的翰运问题,数学上是在一定的边值条件下,求解热量和质量传输的偏微分方程。1891年工斯武藩(Stefan)首先研究了北极海上冰层厚度的生长速率问题,因此把这类问题称为斯戒藩问题。斯戒藩问题的特征是随着晶体生长,其界面是移动的。由于传输方程是非线性的,求解方程在数学上遇到了困难,只有少数几种情况,才能求得斯式藩问题的解析解。于是往往采用简化模型、实验模拟、数值计算等近似方法来处理问题。 热t、质t传输方程一般的生长系统(如熔体生长系统),不是等温等浓度系统,晶体与流体中存在温度和浓度梯度,必然引起热量和质量的扩散(传导)传输。在流体中,除了分子无规运动引起的扩散外,还存在热量和质量的对流传输机制。例如,由于温度不均匀产生的比容差异,在重力场中引起的自然对流,晶体和柑锅旋转引起的强迫对流以及流体的宏观流动等。根据能量守恒和质量守恒原理,分别得到热量和质量传输方程、、︵19曰‘‘+(u·V)T=k甲ZT71一三不‘刁一一口口T.,_。、。_。。,。一二-一丁一月r又“’V夕七一Z少V“LJ口t两式中左边第一项分别为温度、溶质浓度对时间变化率,第二项是流体宏观流动速率“引起的对流传输;右边是扩散(传导)引起的热量和质量传输,k为热扩散系数,D为溶质扩散系数。两方程有相似的形式,但它们在界面上的边值条件则不相同。在界面上温度是连续的,而界面上溶质浓度是不连续的。 扩散传翰方程及其解只考虑扩散传输,则方程(1)、(2)就成为热传导方程和溶质扩散方程。对熔体生长系统,在晶体生长过程中,若固液界面及其他等温面都为平面,则热扩散方程可简化为一维方程。同样,若熔体中等浓度面与固液界面是平行的平面,则溶质扩散传输方程也简化为一维方程。于是得到1、qo月任‘了‘口T日t夕C刁t一,护T一左一二一不 口之‘一。夕ZC一刀一一叹~万石一 口之“┌──┬────┐│晶体│一刀熔体│└──┴────┘护一z厂一之 (、 图1一维生长系统模型液柱结晶模型(图1)。
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