1) CoCl_2
CoCl2
1.
Methods CoCl_2(100 μmol·L -1 ) were used to simulate hypoxic condition,then different concentration (0 g·L -1,0.
方法用100μmol·L-1CoCl2模拟缺氧环境,不同浓度(0g·L-1、0。
2) Mixare of CoCl_2
CoCl2掺杂
3) CoCl 2
氯化钴(CoCl2)
4) CoCl2
二氯化钴(CoCl2)
1.
Objective: To study the effect of CoCl2 inducing hypoxia on the apoptosis and invasion in cultured cytotrophoblast cells.
目的:研究二氯化钴(CoCl2)诱发化学缺氧对培养的细胞滋养层细胞凋亡及侵润的影响。
5) cobalt
[英]['kəʊbɔ:lt] [美]['kobɔlt]
Co
1.
Successive determination of trace Co,Ni and Cu in cobalt ore by flame atomic absorption spectrometry;
火焰原子吸收光谱法连续测定钴矿中Co,Ni和Cu
2.
Determination of Iron,Cobalt and Nickel as Chelates with 4-(2-Thiazolylazo)Resorcinol by Liquid Chromatography with Electrochemical Detection;
4－（2－氨基噻唑）－间苯二酚为柱前衍化剂液相色谱／电化学检测Fe、Co、Ni
3.
Dispersity of cobalt nanoparticles in NC-based ploymer system;
纳米Co粉在NC基高分子体系中的分散性
6) carbon monoxide
CO
1.
Effect of inertinite and vitrinite of coal samples on carbon monoxide absorption by coal seams;
惰质组与镜质组对煤吸附CO性能的影响
2.
Measurement and correlation of solubility of carbon monoxideand other gases solubility in phenol;
CO等气体在苯酚中的溶解度的测定及关联
3.
The on-site experiments of small amount of carbon monoxide removal from the feed gas in the ammonia synthesis by pressure swing adsorption;
合成氨原料气中微量CO变压吸附净化侧线试验
补充资料：半导体材料掺杂
半导体材料掺杂
doping for semiconductor material
bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条