1) macropore
宏孔
1.
When etching current density is lower than a critical value, macropore will be found at polished silicon wafer oriented in (100).
当采用背面照明,且反应电流密度小于某个临界值时,可以在N型硅抛光片沿(100)晶向刻蚀产生宏孔结构,控制电化学条件能够调整宏孔的孔径、间距等形貌参数。
补充资料：宏宏
1.宏伟貌。
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