1) inductive magnetic loss
感应磁损耗
1.
The results showed that the 3D net ceramic has higher dielectric loss and inductive magnetic loss while its electrical conductivity was in the range 10-4 < σ < 10° S/cm.
结果表明,当三维连通网络陶瓷的电导率为10-4<σ<10~0S/cm时,其电损耗及感应磁损耗较大。
2) induced loss
感应损耗
3) mechanism of diaphragm
感应损耗机制
4) Electromagnetic loss
电磁损耗
1.
Synthesis by solid state reaction and electromagnetic loss property of nanometer Ni_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4 ferrite;
纳米Ni_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4铁氧体的制备及电磁损耗特性研究
2.
The important parameters for the wave absorption effects are electromagnetic loss factor, complex dielectric constant, complex magnetic conductivity.
分析结果表明 :吸波材料的电磁损耗机制分为 3种类型 ,即电阻损耗型、介电损耗型和磁损耗型 ;设计吸波材料时要综合考虑损耗吸收和波阻抗匹配 2种因素 ;多元复合尤其是纳米无机物与有机聚合物复合 ,将 3种损耗有效结合 ,并尽可能阻抗匹配 ,这是实现轻质、强吸收、宽频、微波红外隐身兼容且综合性能好的吸波材料的有效途径 ;研究材料的吸波特性还必须从微观层次上用量子理论分析材料对电磁波的基本吸收过
3.
The electromagnetic loss property was studied by the relative dielectric constant and relative magnetic permeability of the ferrites.
并测试样品的相对介电常数和相对磁导率,研究了它们的电磁损耗特性。
5) magnetic loss
磁损耗
1.
Study on conducted interference suppression characteristics of high magnetic loss material in high frequency band;
高频高磁损耗材料传导干扰抑制特性研究
2.
Resonant chamber pertubation method is used, to measure the microwave magnetic loss of thin films.
用谐振腔点频测试其微波磁损耗。
3.
The results show that HCl PAn′s electric loss is very high and that strong H 2SO 4 PAn FeCl 3′s magnetic loss is very high.
发现 :浓 H2 SO4 掺杂本征态聚苯胺 ( PAn)所合成材料的电损耗很小、磁损耗较大 (相对于盐酸聚苯胺而言 ) ,且不利于对微波的吸收 ;Fe Cl3掺杂浓 H2 SO4 - PAn材料可合成磁损耗较高、基本上有利于吸收微波的材料 ;更令人注意的是 ,利用 HCl- PAn具有较大的电损耗 ,浓 H2 SO4 - PAn- Fe Cl3材料具有较大的磁损耗这一特点 ,我们将它们按一定的比例混合 ,可以合成出平均衰减为 1 3。
6) hysteresis loss
磁滞损耗
1.
Research and application of hysteresis loss characteristics of ferrite material;
铁氧体材料的磁滞损耗特性
2.
AC loss model of HTS tape was discussed in this paper,and a new analyzin g method for hysteresis loss was pro posed.
分析并推导了高温超导带材的交流损耗模型,给出了一种新的分析其磁滞损耗方法,这样的磁滞损耗模型表明磁滞损耗是电流和与电流成正比的磁场感应强度的函数。
3.
The hysteresis losses of superconductors at different temperatures and under differen.
利用推导的公式 ,讨论了温度和外加磁场对高温超导体的磁滞损耗的影响 。
补充资料：磁损耗
磁性材料在磁化过程和反磁化过程中有一部分能量不可逆地转变为热，所损耗的能量称磁损耗。磁损耗Wm包括涡流损耗We、磁滞损耗Wh以及其他磁弛豫或磁后效引起的剩余损耗Wr, 即Wm=We+ Wh+ Wr。在一般情况下,磁损耗在铁氧体中主要是剩余损耗和磁滞损耗；金属磁性材料中则主要是涡流损耗和磁滞损耗。
磁性导体在交变磁场中，由于电磁感应而产生涡电流，这就引起磁场强度H和磁感应强度B的振幅和相位在材料内部的不均匀分布，并使B的相位落后于H的相位而增加一部分能量损耗，称为涡流损耗。对一些金属磁性材料的实验研究表明：测得的磁损耗要比理论计算的涡流损耗和准静态损耗之和大得多。实验与理论之差的额外损耗称为反常损耗。反常损耗部分来源于畴壁移动时通过电磁感应在畴壁附近感生的微涡流；另一部分则是由于畴壁的钉扎或畴壁的变形。值得注意的是，反常损耗在一些金属磁性材料（如硅钢片）总损耗中占很大部分。
磁滞损耗是由于磁性材料中存在不可逆的磁化过程（畴壁的不可逆位移，磁畴的不可逆转动）。在准静态磁化情形下，磁滞损耗与磁滞回线的面积成正比。在中等和强交变磁场下，一些金属磁性材料的磁滞损耗适合施泰因梅茨型经验公式，f是频率, η和n是与材料有关的常数，例如，对3％Si-Fe合金，n≈1.6，η≈1.2×10-4尔格／（厘米3·高斯）。
剩余损耗指除了涡流损耗和磁滞损耗以外的其他所有损耗。它是由具有不同机制的磁弛豫过程所导致的。在低频和弱磁场中，剩余损耗主要是磁后效损耗，且与频率无关。高频下剩余损耗主要包括尺寸共振、畴壁共振和自然共振等引起的损耗。在铁氧体中剩余损耗占优势。
磁后效引起的剩余损耗与频率、畴壁位移和磁化矢量转动的阻尼系数成比例。这种损耗大致有两类：里希特型和约旦型损耗。前者与温度和频率有关；后者对温度和频率的依赖性甚小。里希特型损耗主要是由杂质扩散产生的感生各向异性引起的。约旦型损耗则主要是由热涨落引起的。铁氧体的里希特损耗是由于价电子在离子间扩散引起的。
在104赫以上的高频和超高频区,铁氧体磁谱与磁损耗有关的磁导率虚分量μ″在不同频率区域可能出现几个吸收峰,它们对应着共振损耗,也是一种弛豫损耗。随着频率升高，这些吸收峰分别是由尺寸共振、畴壁共振、自然共振和自然交换共振引起的。
参考书目
郭贻诚编著:《铁磁学》,高等教育出版社,北京,1965。
北京大学物理系《铁磁学》编写组编:《铁磁学》,科学出版社，北京，1976。
李荫远、李国栋编：《铁氧体物理学》，修订版，科学出版社，北京，1978。
磁性导体在交变磁场中，由于电磁感应而产生涡电流，这就引起磁场强度H和磁感应强度B的振幅和相位在材料内部的不均匀分布，并使B的相位落后于H的相位而增加一部分能量损耗，称为涡流损耗。对一些金属磁性材料的实验研究表明：测得的磁损耗要比理论计算的涡流损耗和准静态损耗之和大得多。实验与理论之差的额外损耗称为反常损耗。反常损耗部分来源于畴壁移动时通过电磁感应在畴壁附近感生的微涡流；另一部分则是由于畴壁的钉扎或畴壁的变形。值得注意的是，反常损耗在一些金属磁性材料（如硅钢片）总损耗中占很大部分。
磁滞损耗是由于磁性材料中存在不可逆的磁化过程（畴壁的不可逆位移，磁畴的不可逆转动）。在准静态磁化情形下，磁滞损耗与磁滞回线的面积成正比。在中等和强交变磁场下，一些金属磁性材料的磁滞损耗适合施泰因梅茨型经验公式，f是频率, η和n是与材料有关的常数，例如，对3％Si-Fe合金，n≈1.6，η≈1.2×10-4尔格／（厘米3·高斯）。
剩余损耗指除了涡流损耗和磁滞损耗以外的其他所有损耗。它是由具有不同机制的磁弛豫过程所导致的。在低频和弱磁场中，剩余损耗主要是磁后效损耗，且与频率无关。高频下剩余损耗主要包括尺寸共振、畴壁共振和自然共振等引起的损耗。在铁氧体中剩余损耗占优势。
磁后效引起的剩余损耗与频率、畴壁位移和磁化矢量转动的阻尼系数成比例。这种损耗大致有两类：里希特型和约旦型损耗。前者与温度和频率有关；后者对温度和频率的依赖性甚小。里希特型损耗主要是由杂质扩散产生的感生各向异性引起的。约旦型损耗则主要是由热涨落引起的。铁氧体的里希特损耗是由于价电子在离子间扩散引起的。
在104赫以上的高频和超高频区,铁氧体磁谱与磁损耗有关的磁导率虚分量μ″在不同频率区域可能出现几个吸收峰,它们对应着共振损耗,也是一种弛豫损耗。随着频率升高，这些吸收峰分别是由尺寸共振、畴壁共振、自然共振和自然交换共振引起的。
参考书目
郭贻诚编著:《铁磁学》,高等教育出版社,北京,1965。
北京大学物理系《铁磁学》编写组编:《铁磁学》,科学出版社，北京，1976。
李荫远、李国栋编：《铁氧体物理学》，修订版，科学出版社，北京，1978。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条