1) AlInGaN
AlInGaN
1.
Luminescence Mechanism Studies of AlInGaN Alloy;
AlInGaN合金的发光机制研究
2.
Research on Optimizing Barrier Material for AlInGaN Quantum Wells;
AlInGaN量子阱垒层材料的优化
3.
A study of the growth and optical properties of AlInGaN alloys;
AlInGaN材料的生长及其光学性质的研究
2) AlInGaN/GaN
AlInGaN/GaN
1.
Development on AlInGaN/GaN PIN Ultraviolet Photodetectors;
AlInGaN/GaN PIN紫外光电探测器的研制
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。