说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> V型掏槽交叉网络
1)  V digging hole cross blasting network
V型掏槽交叉网络
2)  V-shape cutting
V形掏槽
1.
V-shape cutting,non-electric millisecond detonating network and multiple-raw holes were employed in the blasting large-area rocks,and smooth blasting was conducted so as to maintain the slope stabilizatio.
试验采用宽孔距、小抵抗线,并固定排距、调整间距的炮孔布置方法,降低了复杂地形条件下炮孔布置难度;并采用V形掏槽、非电微差起爆网路、沿路基中心线对称起爆的中深孔方式开挖集中土石方,边坡保护采用光面爆破技术。
3)  form of snubber hole
掏槽型式
4)  Cross-impact Network Process
交叉影响网络模型
5)  crossover network
全交叉网络
1.
A new method is proposed to map 2-D crossover network onto 3-D spatial structure,and make use of the 2×4 micro blazed-grating array to fulfill vertical connections and horizontal connections,and provide a straight connections using mirror.
将二维的全交叉网络映射成三维的空间结构,利用2×4的微闪耀光栅列阵实现竖直和水平面上的交叉连接,直通则通过平面镜反射完成。
6)  nonstaggered grid
非交叉网络
补充资料:V型槽金属-氧化物-半导体集成电路
      在硅片表面上刻蚀出V型凹槽,并利用双扩散或外延生长等工艺在槽内制作的MOS集成电路,称为 VMOS电路。
  
  基本原理  有些化学试剂对硅单晶的不同晶面有不同的腐蚀速率,即各向异性的腐蚀特性。使用某些专门的腐蚀液,如N2H4和H2O各占50%的溶液、18克分子浓度的KOH等,对硅的腐蚀速率为[100]>[110]>[111],[100]晶面的腐蚀速率几乎是[111]晶面的100倍。使用SiO2作为腐蚀掩模,可以在[100]晶面的硅片上腐蚀出由四个会聚的[111]晶面组成的孔,形状如同倒置的金字塔。腐蚀深度与氧化层开口宽度之比为 0.707,每一个腐蚀出的[111]面与硅片表面成54.74°角。使用另外的腐蚀液,对不同电阻率的硅有不同腐蚀速率,可使腐蚀前沿成为截顶的倒置金字塔形的腐蚀坑。前者腐蚀坑的剖面为 V形槽,后者则为U形槽。
  
  结构  经过外延生长、双扩散或离子注入等工艺加工的硅片,经过腐蚀可制成VMOS或UMOS场效应晶体管,其结构如下图。N+硅衬底上的N-层是靠外延生长得到的。P型层和N+层用双扩散法或离子注入法获得。其他栅极和氧化层的制做与常规MOS工艺相同。这种MOS晶体管的沟道是口字形,位于P型区的倾斜表面上。V型(或U型)槽有一定倾角,所以沟道长度约为P型层厚度的1.5倍。在沟道与漏之间设置N-外延层,是为了增加击穿电压并减少输出电容。
  
  
  
  
  
  应用和发展  VMOS电路的优点是利用立体结构提高集成密度,获得自对准(由扩散层深度而不是由光刻分辨率决定)的短沟道结构,可用于高密度大规模集成电路。它能与E/D NMOS或 DMOS电路(见双扩散金属-氧化物-半导体集成电路)技术兼容。但是,这种工艺比较复杂,[111]晶面沟道的电子迁移率低,除少数高密度的只读存储器产品外,对其他产品尚未推广应用。另一方面,VMOS晶体管由于沟道短,宽长比可以做得很大,没有二次击穿效应,而且可用于多数载流子器件的抗辐射方面,在作为高频大功率有源器件方面有重要进展。设计的主要问题是既要有低的导通电阻,又要有高的击穿电压。对于VMOS结构高频功率管,通过选择合适的外延层(电阻率和厚度)、采用多 V型槽并联、加离子注入保护环和台面结构等方法可以解决这一问题。采用UMOS结构可使槽底平坦,减少电场集中效应,能提高击穿电压。同时,在栅极加正电压时,栅漏覆盖区变为累积层,也有利于扩展电阻的减小。击穿电压高达几百伏的VMOS晶体管已经研制成功。
  

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条