简称可控硅。是一种三端四层晶体管，由pnpn四层半导体构成，它是一种可以控制的大功率半导体整流器。该器件内部有三个pn结。当可控硅加反向电压（阴极接正，阳极接负）时，结J1和J3处于反偏，只有很小的反向电流，器件处于反向阻断状态。当可控硅加正向电压且控制极不加电压时，结J1和J2处于正向偏置，而结J2为反向偏置，所以器件也只流过很小的正向电流。当正向电压上升到转折电压时，电流突然增加，器件由正向阻断突然转变为导通。导通后，正向特性和普通二极管正向特性相似。但在很大正向电压下使其击穿导通，实际上是不允许的。使用中是把正向触发电压加到控制极G上，使可控硅导通，正向转折电压降低。触发电流愈大，正向转折电压就愈低。触发导通是在极短时间内完成的，一般不超过几微秒。导通后，即使去掉G板上的触发电压，器件仍可维持导通，控制极不再起作用。通常触发电压1～5V，触发电流为几十至几百mA。可控硅导通后，正向压降一般为0.6～1.2V。SCR的额定正向电流从1A到几百A，反向额定电压可高达2kV以上，工作温度150°以下。SCR主要用于电力变换和控制，如可控整流、交流调压、逆变（直流→交流）、斩波调压（直流→可变直流）等。可以用微小的信号功率（100～200mA电流、2～3V电压）对大功率的电源（几百安电流、几千伏电压）进行控制和变换。SCR具有耐压高、容量大、效率高、控制灵敏等优点。缺点是过载能力和抗干扰能力料差，控制电路比较复杂。随着技术的发展，出现了双向可控硅、反向截止可控硅等派生元件，扩大了应用范围。可控硅又称晶体闸流管（简称晶闸管）。