1) two-step pretreatment
两步处理
2) two-step annealing
两步热处理
1.
The films on Si3N4 substrate were deposited using dc reactive magnetron sputtering in 1:1 of sputtering gas ratio(Ar/O2) and prepared by two-step annealing(300℃ and 600℃).
当基片温度为室温,溅射混合气体(O2/Ar)的比例为1:1时,用直流反应磁控溅射法制备的薄膜,经过两步热处理(300℃/600℃),得到纳米结构WO3气敏元件。
3) two_step processing method
两步处理法
4) Two-step acid-alkali treatment
酸碱两步处理
5) two-step pulse compression process
两步脉压处理
6) two-step surface pretreatment
两步法表面预处理
补充资料：三步两脚
1.快速行走貌。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条