1) induction plasma
感应等离子体
1.
Forming process of tungsten carbide deposited in radio frequency induction plasma;
射频感应等离子体反应沉积碳化钨
2.
The preparation technology of capacitor grade nano Ta powder was studied by using induction plasma powder synthesis system.
利用连续式、感应等离子体技术进行电容器级纳米钽粉制备技术研究,对制备的粉体进行比表面积测试、扫描电镜的形貌观察和粒度分布的统计。
3.
The capacitor grade Ta powder preparation experiments were done using induction plasma technology.
为摸清连续式、感应等离子体粉体制备技术对电容器级钽粉杂质含量水平的降低作用机制,进行不同原料粉体针对同一等离子工艺和不同等离子工艺参数针对同一粉体的制备试验,并对比分析不同原料处理前后钽粉的杂质含量和不同等离子工艺处理后钽粉的杂质含量。
2) induction plasma
感应等离子
1.
Using Tekna TIU-60 kW induction plasma system as a example,this paper presents the process and device of induction plasma synthesis technology.
本文以TeknaTIU-60型感应等离子制粉系统为例,介绍了感应等离子制粉原理及制粉工艺,叙述了感应等离子制粉设备的技术指标以及制粉系统的各组成部分。
3) inductively coupled plasma
感应耦合等离子体
1.
Selective etching of GaN/ AlGaN by Inductively coupled plasma;
感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN
2.
We attempt to investigate the influence of the processing chamber configuration of an inductively coupled plasma(ICP)etcher on flow field characteristics.
为研究感应耦合等离子体(ICP)刻蚀机工艺腔室结构对流场特性的影响,采用回归正交设计方法对腔室半径、腔室高度、进气口半径以及进气流量4个设计参数进行试验设计,利用商业软件CFD-ACE+建立ICP刻蚀机工艺腔室二维流场仿真模型。
3.
Inductively coupled plasma(ICP) dry etching of InP was performed using Cl2/CH4/N2.
采用Cl2/CH4/N2感应耦合等离子体对InP进行了刻蚀。
4) inductively coupled plasma-atomic emission spectrophotometer (ICP-AES)
感应耦合等离子体(ICP-AES)
5) radio frequency inductively coupled plasmas
高频感应等离子体
6) inductively coupled plasma(ICP)
感应耦合等离子体
1.
ZrN films have been prepared by inductively coupled plasma(ICP)-enhanced RF magnetron sputtering.
利用感应耦合等离子体(ICP)增强射频磁控溅射技术在Si(111)片和M2钢表面制备了ZrN薄膜,研究了基片的温度和ICP功率对ZrN薄膜的结构以及性能影响。
补充资料：等离子感应炉熔炼
plasmainductionmelting,PIM：利用等离子体电弧加热的高温熔炉。用以熔炼高温合金、耐热钢、钨、钼等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条