1) Gallium nitride LED(light emitting dicde)
氮化镓发光二极管(LED)
3) gallium arsenide light emitting diode
砷化镓发光二极管
6) LED(Light Emitting Diode)
LED发光二极管
1.
Base on the principle and manufacture of LED(Light Emitting Diode),the article find out several failure root cause of LED,and present some preventive and corrective action on material、 manufacture、application section.
本文基于LED发光二极管的工作原理、制程,找出了LED单灯失效的几种常见原因,并阐述了在材料、生产过程、应用等环节如何预防和改善的对策。
2.
LED(Light Emitting Diode), whose features are small size, longevity, low drive voltage, reaction speed, anti-shock good, less power consumption, low fever, and high color purity, etc.
LED发光二极管以其体积小、寿命长、驱动电压低、反应速度快、抗震性佳、耗电少、发热低、色彩纯度高等特性,已广泛运用于生产和生活的各个领域。
补充资料：氮化镓单晶
分子式：
CAS号：
性质： 周期表第Ⅲ，V族化合物半导体。六方晶系铅锌矿型结构，晶格常数0.3180nm。密度6.lg/cm3。熔点约1500℃。为直接带隙半导体。室温禁带宽度3.39eV。电子和空穴有效惯性质量分别为0.19和0.6。电阻率>107Ω·m，电子迁移率(1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化学气相淀积法制备。
CAS号：
性质： 周期表第Ⅲ，V族化合物半导体。六方晶系铅锌矿型结构，晶格常数0.3180nm。密度6.lg/cm3。熔点约1500℃。为直接带隙半导体。室温禁带宽度3.39eV。电子和空穴有效惯性质量分别为0.19和0.6。电阻率>107Ω·m，电子迁移率(1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化学气相淀积法制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条