1) HeI PE spectrum
HeI光电子能谱
2) HeI photoelectron spectroscopy (PES)
HeI紫外光电子能谱
3) XPS
光电子能谱
1.
Photoluminescence and XPS characterization of ZnO doped with anions;
阴离子掺杂ZnO的荧光性能与X-光电子能谱特征
2.
XPS Analysis of Inner Coating in Channel Electron Multiplier;
通道电子倍增器内壁涂层的X射线光电子能谱分析
3.
The Chemical Structure of Cr,Fe,Cu/Al_2O_3 Interface by XPS;
Cr,Fe,Cu/Al_2O_3界面化学结构的光电子能谱
4) Photoelectron spectroscopy
光电子能谱
1.
Application of photoelectron spectroscopy to YVO4 crystal growth;
光电子能谱在钒酸钇晶体生长中的应用
2.
Improvements on the control system of photoelectron spectroscopy station at NSRL;
NSRL光电子能谱站控制系统的改造
3.
X-ray photoelectron spectroscopy study of Sb-doped SrTiO_3 transparent conducting thin films;
Sb掺杂SrTiO_3透明导电薄膜的光电子能谱研究
5) X-ray photoelectron spectroscopy
光电子能谱
1.
The pore structure and surface chemical structure were characterized by nitrogen adsorption,X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) and thermal gravimetric analysis-Fourier transformation infrared integrated technology.
并通过X射线光电子能谱和热重-红外联用的分析结果相结合,较为详细地、定量地分析了活性炭纤维表面的含氧基团。
2.
X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) study indicated that the oxidative degree of the elements of Ga and As increases with higher substrate temperature.
光电子能谱分析表明随着基片温度升高,薄膜中元素Ga、As的被氧化程度有所增强,但元素Ga、As仍主要以化合物半导体GaAs的形式,元素Si、O主要以SiO2 分子的形式存在于复合薄膜中。
3.
The interaction mechanism of thionine (TH) and calf thymus DNA (CT-DNA) was studied with UV-Vis absorption spectroscopy, fluorescence spectroscopy, circular dichroism (CD), and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
用紫外可见吸收光谱、荧光光谱、圆二色谱和光电子能谱等光谱方法研究了硫堇(TH)与小牛胸腺DNA(CTDNA)的作用机理。
6) photoelectron spectrum
光电子能谱
1.
The intensity and width of the laser pulse have a great impact on the photoelectron spectrum.
模拟了NH3分子在飞秒激光场下通过中间快速预解离态A～的共振增强多光子电离光电子能谱(REMPI-PES)。
2.
The discrete variable representation(DVR) scheme is applied to investigate the photoelectron spectrum(PES) of multiphoton ionization for some diatomic molecules in strong fields.
采用离散变量表示(DVR)方案研究了双原子分子在强场下的多光子电离光电子能谱,得到了与实验相同的结果。
3.
The motion of the atomic nucleus on the potential energy surface is studied by the photoelectron spectrum theory.
本文的主要工作是运用含时量子波包方法计算Li2分子的飞秒光电子能谱,对不同参量的光电子能谱现象进行合理分析解释,进一步了解波包在E 1∑g+势能曲线上的动力学过程。
补充资料：光电子能谱
利用光电效应的原理测量单色辐射从样品上打出来的光电子的动能（并由此测定其结合能）、光电子强度和这些电子的角分布，并应用这些信息来研究原子、分子、凝聚相，尤其是固体表面的电子结构的技术。对固体而言，光电子能谱是一项表面灵敏的技术。虽然入射光子能穿入固体的深部，但只有固体表面下20～30埃的一薄层中的光电子能逃逸出来（光子的非弹性散射平均自由程比电子的大102～103倍）, 因此光电子反映的是固体表面的信息。
尽管光电效应早在1887年就由H.R.赫兹发现，并在1905年由A.爱因斯坦在理论上加以说明，但利用这一原理，并发展成为考察原子、分子、凝聚相，尤其是固体表面电子结构的工具，却是20世纪50年代以后的事。这主要是由于必须具备的超高真空技术和高分辨率电子能量分析器以及高灵敏度电子检测系统，只是在50年代后期才开始出现。
用于考察固体样品的光电子能谱仪（见图）由激发源、样品引入系统、超高真空室、抽空系统、电子能量分析器、检测器和数据处理系统组成。激发源常用紫外辐射源和 X射线源。使用紫外辐射源作为激发源的称为紫外光电子能谱,使用X射线的称为X 射线光电子能谱，统称为光电子能谱。
同步加速器中的高强度连续辐射也愈来愈多地用作光电子能谱仪中的激发源。
与光电子能谱有密切关系并往往联合使用的是俄歇电子能谱。在俄歇电子能谱中测定的并不是由激发辐射直接打出来的电子的能量，而是俄歇过程所间接产生的轨道电子的能量。光电子能谱和俄歇电子能谱通常统称为电子能谱。
尽管光电效应早在1887年就由H.R.赫兹发现，并在1905年由A.爱因斯坦在理论上加以说明，但利用这一原理，并发展成为考察原子、分子、凝聚相，尤其是固体表面电子结构的工具，却是20世纪50年代以后的事。这主要是由于必须具备的超高真空技术和高分辨率电子能量分析器以及高灵敏度电子检测系统，只是在50年代后期才开始出现。
用于考察固体样品的光电子能谱仪（见图）由激发源、样品引入系统、超高真空室、抽空系统、电子能量分析器、检测器和数据处理系统组成。激发源常用紫外辐射源和 X射线源。使用紫外辐射源作为激发源的称为紫外光电子能谱,使用X射线的称为X 射线光电子能谱，统称为光电子能谱。
同步加速器中的高强度连续辐射也愈来愈多地用作光电子能谱仪中的激发源。
与光电子能谱有密切关系并往往联合使用的是俄歇电子能谱。在俄歇电子能谱中测定的并不是由激发辐射直接打出来的电子的能量，而是俄歇过程所间接产生的轨道电子的能量。光电子能谱和俄歇电子能谱通常统称为电子能谱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条