1) SO~(2-)_4/TiO_2-MoO_3
SO2-4/TiO2MoO3
2) SO 2-4
SO2-4
3) SO~(2-)_4
SO2-4
1.
Gas_sensing material of semiconductor doped SO~(2-)_4 in In_2O_3 was prepared by ultrasonic dispersion dipping and the effect of SO~(2-)_4 doping on the conductivity and gas_sensing properties was investigated.
用超声分散浸渍法制备了掺杂SO2-4的In2O3半导体气敏材料,并对其电导和气敏性能进行了研究。
4) SO 2-4/TiO 2-SiO 2
SO2-4/TiO2-SiO2
5) SO~(2-)_4/ZrO_2
SO2-4/ZrO2
1.
The nanometer superacid SO~(2-)_4/ZrO_2 was prepared by the nanometer ZrO_2.
用溶胶-凝胶法并采用溶剂替代干燥法制备纳米ZrO2,用纳米ZrO2制取纳米固体超强酸SO2-4/ZrO2。
6) SO~(2-)_4/TiO_2-La_2O_3
SO2-4/TiO2-La2O3
1.
n-Butyraldehyde glycol acetal was synthesized from n-butyraldehyde(Ⅱ)and glycol as raw materials in the presence of SO~(2-)_4/TiO_2-La_2O_3 as catalyst.
以稀土改性固体超强酸SO2-4/TiO2-La2O3为多相催化剂,丁醛和乙二醇为原料合成丁醛乙二醇缩醛,探讨了SO2-4/TiO2-La2O3催化剂对缩醛反应的催化活性,较系统地研究了原料量比、催化剂用量、反应时间诸因素对产品收率的影响。
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条