补充资料：晶体熔体生长技术

晶体熔体生长技术
technique of growing crystals from melt

的优点。 使用此方法，通常开始时整个柑涡的物料都处于熔融状态，首先成核的是几个微晶。为使其中的一个微晶能控制固液界面的生长，除利用籽晶外，可采用改变柑祸端部的形状(如圆锥形、毛细管状、一个或多个球泡一毛细管组合等形状)，或采用回熔法控制成核，使一个籽晶进入熔体，生长成大单晶。单晶凝固常采用垂直凝固法。但当材料在冷凝过程中膨胀以致损坏安瓶瓶时可采用水平凝固法;特别是晶体生长时材料内某种成分的蒸气压是由液封来控制，或者是由一个在确定温度下的料源来维持时，用水平凝固法生长该材料是最方便的。现常用此方法生长的晶体材料有金属、半导体和某些碱金属或碱土金属卤化物晶体。 采用布里奇曼一斯托克巴杰技术生长晶体所需要的设备有与生长物质、气氛和温度相匹配的合适几何形状的增祸，能产生所需热梯度的炉子，温度测量和控制设备。 丘克拉斯基法从熔体中提拉晶体的方法。简称提拉法。用于研究金属结晶速率。用这种技术可以在不受柑祸所强加的物理约束情况下生长晶体。由于可以从观察窗口直接看到籽晶和晶体的生长过程，并可调整控制晶体完整性的程序，故提拉法可以很好地控制实现在籽晶上晶体的生长。提拉法已被用来制备大量供研究和实用的优质半导体及具有声光、光电等性能的无机化合物单晶。 提拉法生长晶体所需的设备主要有能控制温度梯度的加热设备，盛放熔体的增祸，支撑、旋转和提拉籽晶的设备。若空气气氛不适合，还需采用控制气氛的装置。所采用的主要加热手段是射频加热和电阻加热。在控制晶体形状方面，主要有自动直径控制法。辅以“印模”技术控制形状的晶体提拉法也被证明是可行的。 为了能生长某些具有特殊性能的晶体，对提拉技术进行了改进。当所需晶体在生长时存在着砷、磷等的较高蒸气压时，可采用液封技术，称为液封提拉法。采用缩颈工艺可得到无位错的晶体。为避免柑涡的污染以生长更纯的晶体，可采用射频加热法，使熔体包容在自身的凝固壳内。 凯罗泡洛斯法与提拉法有一定联系的一种晶体生长技术。把籽晶浸入盛放在合适增坍内的熔体中，但并不提拉，而是借助于使物质熔点的等温线从籽晶往下移向增涡的办法获得晶体生长。相对于提拉法，它的设备比较简单，比较适合于生长直径与长度之比较大的单晶体。 区域熔化法最先用于半导体锗的提纯，并已成为半导体提纯的一种最重要的技术。由于这种技术旨在生长界面附近产生一温度梯度，因此区熔过程可分为固一液一固过程。常采用与布里奇曼方法相类似的诱导单晶成核的方法，或利用籽晶来生长单晶。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。