1) conducting polythiophene
导电聚噻吩
1.
The strength and fracture mechanism analysis of conducting polythiophene thin film is carried out by means of electronic speckle pattern interferometry (ESPI) and SEM observation.
对用电化学方法制备的导电聚噻吩薄膜材料进行了拉伸破坏实验,并用电子散斑干涉法测量了力与变形关系同时用扫描电镜对材料的断口进行了断裂机理分析。
2) polythiophene conducting polymer
聚噻吩类导电聚合物
3) polythiophene
聚噻吩
1.
Research progress in photovoltaic properties of polythiophenes;
聚噻吩类有机聚合物材料光电性能研究进展
2.
Progress of the Research on Polythiophenes and Thiophene Oligomers with Side Chains Containing Fullerene and their Photovoltaic Cells;
支链带有富勒烯的聚噻吩和齐聚噻吩及其光伏电池研究进展
3.
Preparation and properties of polythiophene nanocomposites;
聚噻吩纳米复合材料的制备及性能
4) Oligothiophene
寡聚噻吩
1.
Photophysical Properties and Electropolymerization of Regioregular Head-to-Tail Oligothiophenes-Functionalized 9,9′-spirobifluorene Derivatives;
结构规整有序的寡聚噻吩修饰9,9′-螺二芴衍生物的光物理性质及其电化学聚合(英文)
6) oligothiophenes
低聚噻吩
1.
Correction approach to photoluminescence quenching efficiency affected by absorption of fullerenes in oligothiophenes/fullerenes mixtures in solution;
低聚噻吩/富勒烯混合液中富勒烯吸收对荧光猝灭效率影响的校正方法
2.
Discussions are given about the reaction process and doped states of oligothiophenes.
分别在空气、氮气和氧气气氛下,用CF3COOH作掺杂剂对三种低聚噻吩的p型掺杂行为进行了系统研究。
补充资料：聚噻吩
分子式：
CAS号：
性质：可以看作是把顺式聚乙炔的H用S取代而成；也可用2,5-卤代噻吩脱卤或用电化学氧化聚合制得。它具有π共轭体系，十分稳定，可在空气中长期保存。由电化学合成的聚2,5-噻吩是处于电化学掺杂状态，主链上有正电荷，电导率可达102～103S/cm。将取代基引入噻吩获得的聚噻吩体系，可像肥皂一样溶于水中，得到呈液晶状态的混浊溶液。将该溶液置于磁场中，经脱水获得的聚噻吩纤维的电导率仅比铜低一个数量级。此外，聚噻吩还可用于制作蓄电池、发光二极管、光电化学电池、非线性光学材料等。
CAS号：
性质：可以看作是把顺式聚乙炔的H用S取代而成；也可用2,5-卤代噻吩脱卤或用电化学氧化聚合制得。它具有π共轭体系，十分稳定，可在空气中长期保存。由电化学合成的聚2,5-噻吩是处于电化学掺杂状态，主链上有正电荷，电导率可达102～103S/cm。将取代基引入噻吩获得的聚噻吩体系，可像肥皂一样溶于水中，得到呈液晶状态的混浊溶液。将该溶液置于磁场中，经脱水获得的聚噻吩纤维的电导率仅比铜低一个数量级。此外，聚噻吩还可用于制作蓄电池、发光二极管、光电化学电池、非线性光学材料等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条