1) codoping process
共掺杂工艺
1.
This article gives a description of the progress in self-com-pensation model for p-doping, the codoping process and mechanism, PL .
介绍了p型掺杂GaN中的自补偿模型、共掺杂工艺的原理和进展、PL谱的性质以及一些新的掺杂工艺。
2) doping process
掺杂工艺
1.
The influence of impurities and doping process on the performance of Nano-BaTiO_(3)-Based ceramics;
掺杂离子及掺杂工艺对钛酸钡性能的影响
2.
The effect of HCl doping process on the conductivity of polyaniline was investigated through orthogonal tests.
采用正交实验法研究盐酸(HCl)掺杂工艺对导电聚苯胺电导率的影响。
3) nano-doping process
纳米掺杂工艺
1.
A novel nano-doping process was introduced for the preparation of BaTiO_3-based ultrafine nonreducible dielectrics for multilayer ceramic capacitance (MLCC).
采用新颖的纳米掺杂工艺成功制备了BaTiO3基MLCC超细抗还原瓷料。
2.
0) was synthesized by the solgel method and BaTiO_3-based ultrafine nonreducible dielectrics for multilayer ceramic capacitance were prepared by the nano-doping process.
0)纳米掺杂剂,并采用纳米掺杂工艺制备BaTi O3基多层陶瓷电容器瓷料。
3.
A novel nano-doping process was introduced for the preparation of submicron BaTiO_3-based ultrafine nonreducible dielectrics for Multilayer Ceramic Capacitance in this thesis.
本论文创新性地采用纳米掺杂工艺制备了亚微米级温度稳定型镍电极多层陶瓷电容器抗还原瓷料,其粒度小且分布均匀、比表面积大,烧结成瓷后晶粒细小且均匀致密、气孔率低,有利于MLCC 介质膜层的减薄及可靠性的提升。
4) ion implantation doping
离子掺杂工艺
5) Rare earth doping directly
稀土直接掺杂工艺
6) co-doped
共掺杂
1.
Preparation of lanthanum and carbon co-doped TiO_2 and photocatalysis under visible irradiation;
镧、碳共掺杂TiO_2的制备及其可见光催化性能
2.
Preparation of La~(3+)/Fe~(3+) co-doped TiO_2 pumice and photocatalytic mineralization of secondary effluents
La~(3+)和Fe~(3+)共掺杂TiO_2/浮石的制备及光催化矿化二级出水的效果
3.
Polyaniline/attapulgite conductive nanocomposites co-doped with HCl and TSA
HCl和TSA共掺杂聚苯胺/凹土纳米导电复合材料
补充资料：离子掺杂工艺
分子式：
CAS号：
性质：又称离子掺杂工艺，离子注入工艺。指在加速电场作用下，将掺杂用离子束注入被掺杂体内的掺杂方法。这种掺杂方法的目的有两个，其一是利用注入离子实现绝缘型高分子的极化，制备高分子驻极体；其二是利用注入离子与被掺杂材料分子的相互作用，改变其荷电状态，从而增加载流子密度，提高导电性能。离子注入具有许多优点:掺杂温度较低；掺杂浓度可控；掺杂区清晰；能实现大面积均匀掺杂；可在半导体内形成各种复杂的结构；适用于浅结扩散。掺杂剂种类较多，通常有三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、三氯化硼、磷烷、砷烷、乙硼烷等
CAS号：
性质：又称离子掺杂工艺，离子注入工艺。指在加速电场作用下，将掺杂用离子束注入被掺杂体内的掺杂方法。这种掺杂方法的目的有两个，其一是利用注入离子实现绝缘型高分子的极化，制备高分子驻极体；其二是利用注入离子与被掺杂材料分子的相互作用，改变其荷电状态，从而增加载流子密度，提高导电性能。离子注入具有许多优点:掺杂温度较低；掺杂浓度可控；掺杂区清晰；能实现大面积均匀掺杂；可在半导体内形成各种复杂的结构；适用于浅结扩散。掺杂剂种类较多，通常有三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、三氯化硼、磷烷、砷烷、乙硼烷等
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条