1) TeO2 crystal
TeO2晶体
1.
The etching morphologies of TeO2 crystal on (110) and (001) faces were observed by means of chemical etching and analyzed with the theory of symmetry group.
用化学腐蚀的方法研究TeO2晶体(110)面和(001)面位错蚀坑的形貌,结合晶面极图,并运用对称群理论进行分析论证,理论分析与实验结果相一致。
2.
TeO2 crystals were grown by Bridgman method.
采用Bridgman法生长了二氧化碲(TeO2)晶体,运用光学显微镜、电子衍射光谱、化学腐蚀等方法分析了该方法生长TeO2晶体内部的缺陷。
2) Tellurium dioxide(TeO 2)
二氧化碲(TeO2)晶体
3) Bi2O3-TiO2-TeO2 system
Bi2O3-TiO2-TeO2体系
4) amorphous TeO2 film
非晶态TeO2薄膜
5) TeO2/TiO2 nanocomposite
TeO2/TiO2复合物
6) Na_2O-TeO_2-ZnO glasses
Na2O-TeO2-ZnO玻璃
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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