1) precursor immersing ablation
前驱体浸渍烧蚀法
1.
The fabrication method of precursor immersing ablation of the reticulated intermetallics or ceramics reinforcement was described in this paper and its merit and weakness were analyzed.
综述了有机前驱体浸渍烧蚀法(PIA)制备金属基复合材料(MMCs)用金属间化合物或陶瓷网络结构预制体的工艺过程及技术方法,分析了其制备工艺特点,指出PIA法是目前制备MMCs最方便有效的方法。
2) Reticulated Ceramics Preform
前驱体浸渍法
1.
The Fabrication Method and Progress about the Reticulated Ceramics Preform in Metal Matrix Composites;
前驱体浸渍法制备金属基复合材料网络陶瓷预制体的工艺及进展
3) precursor impregnation procedure
前体浸渍法
1.
Synthesis of copper-containing mesoporous MSU-s by precursor impregnation procedure;
前体浸渍法制备含铜的介孔材料Cu/MSU-s
4) polymer infiltration and pyrolysis
前驱体浸渍裂解
1.
SiC_f/SiC composites were fabricated by a polymer infiltration and pyrolysis process using 2.
5D SiC纤维预制件,通过前驱体浸渍裂解法(PIP法)制备SiC_f/SiC复合材料,通过在第一次浸渍浆料中加入活性Al粉和惰性颗粒SiC粉来提高浸渍效率。
5) precursor immersing ablation technology
有机前驱体浸渍工艺
6) dip-calcination method
浸渍-煅烧法
1.
Characterization of molybdenum nitride electrode prepared by dip-calcination method;
γ-Mo_2N电极的浸渍-煅烧法制备及其表征
补充资料：前驱体配位化合物
分子式：
CAS号：
性质：金属配位化合物的电子传递（迁移）反应过程中第一步形成的物种的统称。配位化合物的电子传递（迁移）反应，不论是内层机理还是外层机理都分为三步：（1）形成前驱配位化合物。（2）前驱配位化合物的活化生成后继配位化合物。（3）后继配化合物分裂为产物如[Co(NH3)5H2O]3+与[Fe(CN)4]4-反应按外层机理进行，参加电子传递的两个配离子通过扩散而穿过溶剂分子相互接近，两者处在溶剂分子所组成的“笼”内，形成前驱配位化合物[{Co(NH3)5(H2O)}3+||{Fe(CN)6}4-。[CoCl(NH3)5]2+与[Cr(H2O)6]2+反应按内层机理进行，两者发生取代，配体桥联成双核配位化合物[(NH3)5CoIII-Cl…CrII·(H2O)5]4+而形成前驱配位化合物。前驱配位化合物必须有适当的稳定性，才有利于电子传递（迁移）。
CAS号：
性质：金属配位化合物的电子传递（迁移）反应过程中第一步形成的物种的统称。配位化合物的电子传递（迁移）反应，不论是内层机理还是外层机理都分为三步：（1）形成前驱配位化合物。（2）前驱配位化合物的活化生成后继配位化合物。（3）后继配化合物分裂为产物如[Co(NH3)5H2O]3+与[Fe(CN)4]4-反应按外层机理进行，参加电子传递的两个配离子通过扩散而穿过溶剂分子相互接近，两者处在溶剂分子所组成的“笼”内，形成前驱配位化合物[{Co(NH3)5(H2O)}3+||{Fe(CN)6}4-。[CoCl(NH3)5]2+与[Cr(H2O)6]2+反应按内层机理进行，两者发生取代，配体桥联成双核配位化合物[(NH3)5CoIII-Cl…CrII·(H2O)5]4+而形成前驱配位化合物。前驱配位化合物必须有适当的稳定性，才有利于电子传递（迁移）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条