1) zinc and cobalt double-doped lithium niobate crystal
钴锌双掺杂铌酸锂晶体
2) zinc and iron-codoped lithium niobate crystal
锌铁双掺铌酸锂晶体
3) lithium niobate with co-doping of holmium and zinc crystal
钬锌双掺铌酸锂晶体
4) Zn doped LiNbO 3 crystal
掺锌铌酸锂晶体
6) Mg:Er:LiNbO_3
双掺杂镁铒铌酸锂晶体
补充资料：二磷化锗锌晶体
分子式：ZnGeP2
CAS号：
性质：周期表Ⅱ,IV,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿结构。晶格常数0.5465nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度2.42eV。一般为p型半导体,空穴迁移率为1.5×10-3m2/(V·s)。熔点1280℃。采用布里奇曼法、区域熔炼法、锌液中生长等法制取。为可见光发光材料和非线性光学材料。
CAS号：
性质：周期表Ⅱ,IV,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿结构。晶格常数0.5465nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度2.42eV。一般为p型半导体,空穴迁移率为1.5×10-3m2/(V·s)。熔点1280℃。采用布里奇曼法、区域熔炼法、锌液中生长等法制取。为可见光发光材料和非线性光学材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条