1) laser assisted etching
激光辅助腐蚀
2) laser-assisted wet etching
激光辅助液相腐蚀
3) photoassisted wet etching
光辅助湿法腐蚀
1.
Compared with the etching of hexagonal GaN (h-GaN) grown on Al_2O_3(0001),it is found that the photoassisted wet etching behavior of c-GaN grown on GaAs is different from that of h-GaN on sapphire.
研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生长在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上的六方相 Ga N (h- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较 。
4) Laser assisted chemical etching
激光辅助化学刻蚀
1.
The laser assisted chemical etching was proposed to apply in the etching of YBCO high temperature superconductor(HTS)film,which was a significant application involving superconductor electronics,laser technique and chemistry.
提出了将激光辅助化学刻蚀技术应用于钇钡铜氧(YBCO)高温超导薄膜的刻蚀,研究了无掩膜YBCO薄膜激光化学刻蚀的表面特性及其变化规律,为YBCO激光化学刻蚀技术中图形形状控制、刻蚀时间选择和激光功率调节等提供了重要的实验结论。
2.
The laser assisted chemical etching was proposed to apply in the etching of YBCO high temperature superconductor film.
提出了将激光辅助化学刻蚀技术应用于钇钡铜氧(YBCO)高温超导薄膜的刻蚀,研究了无掩膜YBCO薄膜激光化学刻蚀的表面特性及其变化规律,在激光辐照下,YBCO薄膜的液相刻蚀速率大大加快,并且在整个过程中,刻蚀速率呈现加快趋势,这一特性将有可能用于改善YBCO刻蚀中的横向钻蚀情况,并提高图形边缘的侧壁陡峭度。
补充资料：基质辅助激光解吸时间飞行质谱
分子式：
CAS号：
性质：从原理上讲，它属于激光解吸质谱(LDMS)，它与普通LDMS的不同在于，激光不是直接打在试样上使之解吸，而是把试样悬浮在基质中，激光打在基质上，基质吸收并传递激光能量，使基质中的试样解吸出来，试样解吸并电离后进入时间飞行质谱仪中检测。MALDI-TOFMS由于使用了基质辅助，它对激光能量的限制就比较宽了，对不同的试样，改变基质，可以获得更满意的结果。目前MALDI-TOF MS是用来进行药物、生物分子的测定的较好手段。
CAS号：
性质：从原理上讲，它属于激光解吸质谱(LDMS)，它与普通LDMS的不同在于，激光不是直接打在试样上使之解吸，而是把试样悬浮在基质中，激光打在基质上，基质吸收并传递激光能量，使基质中的试样解吸出来，试样解吸并电离后进入时间飞行质谱仪中检测。MALDI-TOFMS由于使用了基质辅助，它对激光能量的限制就比较宽了，对不同的试样，改变基质，可以获得更满意的结果。目前MALDI-TOF MS是用来进行药物、生物分子的测定的较好手段。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条